特許
J-GLOBAL ID：200903062661445425
窒化物半導体レーザ素子、その製造方法および半導体光学装置
発明者：
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (3件)：
佐野 静夫
, 山田 茂樹
, 小寺 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-119334
公開番号（公開出願番号）：特開2004-327655
出願日： 2003年04月24日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：
【課題】レーザ発振寿命の一層優れた窒化物半導体レーザ素子を提供することである。【解決手段】窒化物半導体レーザ素子1は、転位集中領域102と広い低転位領域とを有し、その表面をc面に対して0.3〜0.7°の範囲で傾斜させた窒化物半導体基板101とその上に積層された窒化物半導体層104より成る。窒化物半導体層104は、転位集中領域102直上に凹部108を有し、その凹部を除いた領域で極めて平坦性良くクラックのない高品質な量子井戸活性層と、成長したままでなんら活性化処理施すことなくp型伝導を示す層およびストライプ状のレーザ光導波領域105を有する。レーザ光導波領域105は低転位領域105上に設けられる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
窒化物半導体基板と、その上に積層された複数の窒化物半導体層とからなる窒化物半導体レーザ素子であって、
前記窒化物半導体層が、単数または複数層の井戸層と障壁層から形成される量子井戸構造の活性層と、アクセプタードーピング層とを有し、
前記窒化物半導体基板が、転位集中領域と、転位集中領域を除いた領域である低転位領域とを有し、
転位集中領域及び低転位領域の直上に積層された窒化物半導体層は、転位集中領域直上に凹部を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (16件)：
5F073AA04
, 5F073AA45
, 5F073AA51
, 5F073AA64
, 5F073AA65
, 5F073AA74
, 5F073BA05
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073CB22
, 5F073DA04
, 5F073DA05
, 5F073DA32
, 5F073EA15
, 5F073EA28
, 5F073EA29
