特許
J-GLOBAL ID：200903001121689512

薄膜半導体の製造方法

発明者：
田舎中 博士

田舎中 博士 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  伊藤 仁恭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-306522
公開番号（公開出願番号）：特開2007-081422
出願日： 2006年11月13日
公開日（公表日）： 2007年03月29日
要約：
【課題】薄膜半導体を、低コストをもって容易、確実に得ることができるようにする。【解決手段】半導体基体表面を、多孔質の表面層と、表面層下に形成され表面層に比して多孔率が大きい中間多孔率層と、中間多孔率層内部もしくは中間多孔率層の下層に形成され表面層および中間多孔率層に比して多孔率が大きい高多孔率層とを有するような多孔質層に変化させる工程と、多孔質層に半導体膜を形成する工程と、半導体膜を多孔質層を介して半導体基体から剥離する工程とを有する。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
半導体基体表面を、多孔質の表面層と、該表面層下に形成され該表面層に比して多孔率が大きい中間多孔率層と、該中間多孔率層内部もしくは中間多孔率層の下層に形成され前記表面層および前記中間多孔率層に比して多孔率が大きい高多孔率層とを有するような多孔質層に変化させる工程と、 前記多孔質層に半導体膜を形成する工程と、 前記半導体膜を、前記多孔質層を介して前記半導体基体から剥離する工程とを有する ことを特徴とする薄膜半導体の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205
FI (3件)：
H01L21/02 B ,  H01L21/20 ,  H01L21/205
Fターム (33件)：
5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AD15 ,  5F045AE29 ,  5F045AF03 ,  5F045CA13 ,  5F045HA01 ,  5F045HA16 ,  5F152LL03 ,  5F152LM09 ,  5F152LP01 ,  5F152LP04 ,  5F152LP09 ,  5F152MM04 ,  5F152MM13 ,  5F152NN03 ,  5F152NN04 ,  5F152NN06 ,  5F152NN07 ,  5F152NN12 ,  5F152NN14 ,  5F152NN19 ,  5F152NN20 ,  5F152NN22 ,  5F152NP03 ,  5F152NP04 ,  5F152NP05 ,  5F152NP06 ,  5F152NP24 ,  5F152NQ03 ,  5F152NQ04 ,  5F152NQ06
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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