高分子化合物、レジスト保護膜材料及びパターン形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-012135
公開番号（公開出願番号）：特開2008-081716
出願日： 2007年01月23日
公開日（公表日）： 2008年04月10日
要約：

【解決手段】下記一般式(1)で示される繰り返し単位からなる高分子化合物。(R1、R2は同一又は異種の水素原子、又は炭素数1〜12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基で、R1とR2が結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよく、R30は水素原子又はメチル基である。)【効果】本発明のレジスト保護膜材料を用いたパターン形成方法によれば、レジスト膜上に形成されるレジスト保護膜が、非水溶性でアルカリ水溶液(アルカリ現像液)に溶解可能であり、しかもレジスト膜とミキシングしないものであるので、良好な液浸リソグラフィーを行うことができ、またアルカリ現像時にレジスト膜の現像と保護膜の除去とを同時に一括して行うことができる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位からなる高分子化合物。

IPC (5件)：

C08F 20/28 , G03F 7/11 , G03F 7/004 , G03F 7/38 , C08F 232/08

FI (5件)：

C08F20/28 , G03F7/11 501 , G03F7/004 501 , G03F7/38 501 , C08F232/08

Fターム (46件)：

2H025AA02 , 2H025AA04 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025CB14 , 2H025CB45 , 2H025CC03 , 2H025DA02 , 2H025FA01 , 2H025FA10 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 2H096AA25 , 2H096BA09 , 2H096DA10 , 2H096EA03 , 2H096EA05 , 2H096EA23 , 2H096FA01 , 2H096JA02 , 4J100AL03R , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AR11R , 4J100BA03P , 4J100BA03Q , 4J100BA15R , 4J100BA20R , 4J100BB17Q , 4J100BB18P , 4J100BB18Q , 4J100BC03P , 4J100BC03Q , 4J100BC04P , 4J100BC04Q , 4J100BC04R , 4J100BC08P , 4J100BC08R , 4J100BC09P , 4J100CA01 , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (9件)

特開昭62-62520号公報
特開昭62-62521号公報
特開昭60-38821号公報

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審査官引用 (6件)

(メタ)アクリル酸系重合体および感放射線性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-066461 出願人：JSR株式会社
ポジ型レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-061749 出願人：富士写真フイルム株式会社
高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-266869 出願人：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社

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