特許
J-GLOBAL ID：200903001187427292

強誘電体膜および電子装置の製造方法

発明者：
クロス ジェフリー スコット

クロス ジェフリー スコット について

, 
塚田 峰春

塚田 峰春 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-323147
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144067
出願日： 1999年11月12日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：
【要約】【課題】 強誘電体膜の表面に形成された二次相を効果的に除去し、さらに、それを用いた電子装置が低電圧で操作可能となるように強誘電体膜の表面の滑らかさを保持しながら膜厚を低減するための安全でかつ安価な方法を提供する。【解決手段】 電極膜上に強誘電体膜を成長させた後に、60重量%以下の希酸水溶液でウェットエッチングして強誘電体膜の表層部を除去することを特徴とする強誘電体膜の製造方法。
請求項（抜粋）：
電極膜上に強誘電体膜を成長させた後に、60重量%以下の希酸水溶液でウェットエッチングして強誘電体膜の表層部を除去することを特徴とする強誘電体膜の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/306 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (3件)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 21/306 D ,  H01L 27/10 651
Fターム (19件)：
5F043AA40 ,  5F043BB25 ,  5F043DD30 ,  5F043GG10 ,  5F083AD21 ,  5F083AD49 ,  5F083FR01 ,  5F083FR02 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083PR05 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR38
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)
引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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