特許
J-GLOBAL ID：200903001251146430
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-384707
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188210
出願日： 2001年12月18日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：
【要約】【課題】 サイズの大きな半導体チップを実装する際に確実に超音波熱圧着を行う。【解決手段】 半導体チップ1と、半導体チップ1と対向配置され、接続用導体4を介して半導体チップ1と電気的に接続された回路基板5と、半導体チップ1及び回路基板5の向かい合う対向面にそれぞれ形成され、接続用導体4が接合されたパッド電極2及び端子電極6と、対向面の間の隙間を埋め込むように形成された非導電性樹脂7と、半導体チップ1又は回路基板5の対向面に形成された所定形状の導電性ダミーパターン10とを備える。対向面の間の温度分布を均一にすることができ、非導電性樹脂7の粘度を温度を均一化して超音波が減衰することを抑止できる。
請求項（抜粋）：
半導体チップと、前記半導体チップと対向配置され、接続用導体を介して前記半導体チップと電気的に接続された電子部材と、前記半導体チップ及び前記電子部材の向かい合う対向面にそれぞれ形成され、前記接続用導体が接合された電極と、前記対向面の間の隙間を埋め込むように形成された非導電性樹脂と、前記半導体チップ又は前記電子部材の前記対向面に形成された所定形状の導電性ダミーパターンとを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/607
H01L 21/60 311 S
, H01L 21/607 A
5F044KK01
, 5F044LL11
, 5F044RR18
, 5F044RR19
