特許
J-GLOBAL ID:200903001337835564
部品内蔵多層基板
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-062588
公開番号(公開出願番号):特開2007-242851
出願日: 2006年03月08日
公開日(公表日): 2007年09月20日
要約:
【課題】少なくとも1種の半導体ICチップなどの能動部品が内蔵された部品内蔵多層基板において、異種材料の積層による歪みや部品の回路との剥がれを防止する。【解決手段】基板絶縁材上に形成された回路を有する回路基板が多層積層された積層体の内部に、半導体ICチップ9、10などの能動部品の少なくとも1種の部品が内蔵された部品内蔵多層基板で、部品が接続される回路が形成された基板絶縁材4、6が、100°Cから350°Cにおける線膨張係数の平均値(CTE)が-5(ppm/°C)〜+20(ppm/°C)の範囲にある芳香族ジアミン類と芳香族テトラカルボン酸類との反応によって得られるポリイミドフィルム、特に、ベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミン類と芳香族テトラカルボン酸類との反応によって得られるポリイミドフィルムであることを特徴とする部品内蔵多層基板。【選択図】図2
請求項(抜粋):
基板絶縁材上に形成された回路を有する回路基板が少なくとも2層以上多層積層された積層体の内部に、半導体ICチップなど能動部品の少なくとも1種の部品が内蔵された部品内蔵多層基板であって、半導体ICチップなど能動部品の少なくとも1種の部品が接続される回路が形成された基板絶縁材が、100°Cから350°Cにおける線膨張係数の平均値(CTE)が-5(ppm/°C)〜+20(ppm/°C)の範囲にある芳香族ジアミン類と芳香族テトラカルボン酸類との反応によって得られるポリイミドフィルムであることを特徴とする部品内蔵多層基板。
IPC (5件):
H05K 3/46
, H05K 1/03
, H01L 23/14
, C08J 5/18
, C08G 73/10
FI (6件):
H05K3/46 Q
, H05K3/46 T
, H05K1/03 610N
, H01L23/14 R
, C08J5/18
, C08G73/10
Fターム (78件):
4F071AA60
, 4F071AF62Y
, 4F071AG05
, 4F071AG28
, 4F071AH13
, 4F071BA02
, 4F071BB02
, 4J043PA02
, 4J043PA04
, 4J043QB15
, 4J043QB26
, 4J043QB31
, 4J043RA35
, 4J043SA06
, 4J043SB01
, 4J043SB02
, 4J043TA22
, 4J043TB01
, 4J043TB02
, 4J043UA121
, 4J043UA122
, 4J043UA131
, 4J043UA132
, 4J043UA152
, 4J043UA551
, 4J043UA561
, 4J043UA652
, 4J043UA662
, 4J043UA672
, 4J043UB022
, 4J043UB122
, 4J043UB132
, 4J043UB152
, 4J043UB302
, 4J043UB402
, 4J043VA022
, 4J043VA032
, 4J043VA062
, 4J043XA16
, 4J043XA17
, 4J043XA18
, 4J043XA19
, 4J043ZA35
, 4J043ZB50
, 5E346AA02
, 5E346AA12
, 5E346AA15
, 5E346AA25
, 5E346AA26
, 5E346AA29
, 5E346AA32
, 5E346AA35
, 5E346AA38
, 5E346BB02
, 5E346CC02
, 5E346CC10
, 5E346CC32
, 5E346DD02
, 5E346DD17
, 5E346DD22
, 5E346EE02
, 5E346EE08
, 5E346EE12
, 5E346EE13
, 5E346EE42
, 5E346FF35
, 5E346FF45
, 5E346GG02
, 5E346GG15
, 5E346GG17
, 5E346GG22
, 5E346GG25
, 5E346HH11
, 5E346HH16
, 5E346HH18
, 5E346HH22
, 5E346HH23
, 5E346HH24
引用特許: