特許
J-GLOBAL ID：200903001357320323
光導波路の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-287971
公開番号（公開出願番号）：特開平10-133048
出願日： 1996年10月30日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：
【要約】【課題】 製造工程が複雑で長く、基板表面とコア層を表面を揃えるのが困難であり、基板にソリが発生し易いという問題があった。【解決手段】 結晶質シリコン基板の一主面上に絶縁膜を形成してその一部を選択除去する工程、前記絶縁膜が除去された部分を起点として前記結晶質シリコン基板内に選択的に多孔質シリコン領域を形成する工程、前記結晶質シリコン基板の一主面上に不純物元素またはその化合物を含有する不純物含有層を形成する工程、前記不純物元素またはその化合物を前記多孔質シリコン領域内のコア層となる領域に拡散または固相溶融させるとともに前記多孔質シリコン領域を酸化する熱処理工程を有する。
請求項（抜粋）：
結晶質シリコン基板の一主面上に絶縁膜を形成してその一部を選択除去する工程、前記絶縁膜が除去された部分を起点として前記結晶質シリコン基板内に選択的に多孔質シリコン領域を形成する工程、前記結晶質シリコン基板の一主面上に不純物元素またはその化合物を含有する不純物含有層を形成する工程、前記不純物元素またはその化合物を前記多孔質シリコン領域内のコア層となる領域に拡散または固相溶融させるとともに前記多孔質シリコン領域を酸化する熱処理工程を有することを特徴とする光導波路の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G02B 6/12 M
, G02B 6/12 N
