絶縁ゲート型半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)： ▲角▼谷浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-265387
公開番号（公開出願番号）：特開2008-085189
出願日： 2006年09月28日
公開日（公表日）： 2008年04月10日
要約：

【課題】ゲートパッド電極の下方にp+型不純物領域を設ける場合、p+型不純物領域の端部が球面状の曲率を有する。ドレイン-ソース間逆方向耐圧が数百Vになると、球面状の端部に電界が集中し、十分なドレイン-ソース間逆方向耐圧を得ることができない。平面パターンにおいてp+型不純物領域のコーナー部の曲率を大きくすると動作領域に配置できるトランジスタセル数が犠牲になる。【解決手段】ゲートパッド電極の下方にもトランジスタセルと連続するチャネル領域を配置する。ゲートパッド電極の下方に位置するチャネル領域をソース電位で固定する。これにより、ゲートパッド電極下方全面にp+型不純物領域を設けなくても、所定のドレイン-ソース間逆方向耐圧を確保することができる。また、動作領域の外周に配置される導電層に、保護ダイオードを形成する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

一導電型半導体基板にストライプ状にゲート電極を設けた絶縁ゲート型半導体装置であって、前記ゲート電極の外周を囲み、前記基板の辺に沿って延在する導電層と、前記導電層の一部に設けられたストライプ状のpn接合ダイオードと、を具備することを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 27/04 , H01L 21/336 , H01L 29/739

FI (5件)：

H01L29/78 652N , H01L29/78 652S , H01L29/78 657B , H01L29/78 658F , H01L29/78 655G

引用特許：

出願人引用 (6件)

絶縁ゲート型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-173497 出願人：三洋電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-380884 出願人：株式会社デンソー
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-384972 出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社

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審査官引用 (3件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-380884 出願人：株式会社デンソー
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-384972 出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社
絶縁ゲート型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-173497 出願人：三洋電機株式会社

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