半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-046473
公開番号（公開出願番号）：特開2002-252245
出願日： 2001年02月22日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：

【要約】【課題】装置本体の小型化を実現し得るとともに、より効率的な製造が可能な構造を備えた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】それぞれ互いに対応する電極を備え、少なくとも一方が半導体チップからなる一対の配線基体を、接着樹脂層を介して、電極間の電気的接続をなしつつ接合させると同時に、両者の接合部分を樹脂封止する半導体装置の製造方法において、上記半導体チップの電極上以外の所定の部位に、赤外線不透過性を有する位置決めマークを形成し、上記半導体チップの電極上にバンプを形成し、上記半導体チップの少なくとも位置決めマーク及びバンプを含む領域に接着樹脂層を形成し、上記半導体チップの位置決めマークを接着樹脂層の上から赤外線カメラで検出し、両配線基体を位置合わせし、両配線基体を電極間の電気的接続をなしつつ接合させるとともに、両者の接合部分を樹脂封止する。

請求項（抜粋）：

それぞれ互いに対応する電極を備え、少なくとも一方が半導体チップからなる一対の配線基体を、接着樹脂層を介して、電極間の電気的接続をなしつつ接合させると同時に、両者の接合部分を樹脂封止する半導体装置の製造方法において、上記半導体チップの電極上以外の所定の部位に、赤外線不透過性を有する位置決めマークを形成するマーク形成ステップと、上記半導体チップの電極上にバンプを形成するバンプ形成ステップと、上記半導体チップの少なくとも位置決めマーク及びバンプを含む領域に接着樹脂層を形成する接着樹脂層形成ステップと、上記半導体チップの位置決めマークを接着樹脂層の上から赤外線カメラで検出し、両配線基体を位置合わせする位置合わせステップと、両配線基体を電極間の電気的接続をなしつつ接合させるとともに、両者の接合部分を樹脂封止する接合ステップとを有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 , B23K 1/00 330 , B23K 3/06

FI (3件)：

H01L 21/60 311 Q , B23K 1/00 330 E , B23K 3/06 H

Fターム (5件)：

5F044LL05 , 5F044LL11 , 5F044QQ01 , 5F044QQ09 , 5F044RR12

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置の製造方法および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-205975 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-136941 出願人：三菱電機株式会社
特開昭57-173952

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