薄膜作成方法及び薄膜作成装置並びに半導体-絶縁体接合構造を有する半導体デバイス

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出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：保立浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-257675
公開番号（公開出願番号）：特開平10-083988
出願日： 1996年09月06日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：

【要約】【課題】界面欠陥の低減と成膜温度の低下を可能にする薄膜作成方法及び薄膜作成装置を提供し、界面準位密度の低い半導体-絶縁体接合構造を有する半導体デバイスを提供する。【解決手段】処理容器1内に配置された基板20の近傍に設けられた熱触媒体5の表面付近を通過するようにして、水素ガス等の表面処理用ガスを表面処理用ガス導入系6によって導入する。表面処理用ガスは熱触媒体5による接触分解反応等によって活性種を生成し、この活性種が基板20に到達することで自然酸化膜の除去等の表面処理が行われる。その後、成膜用ガス導入系3によって成膜用ガスを導入して熱触媒体5の表面付近を通過させるようにして基板20に供給し、触媒CVD法によって半導体表面上に所定の絶縁膜を作成する。作成された絶縁膜と半導体との界面は1012eV-1cm-2以下の界面準位密度となり、高性能の半導体デバイスの実現を可能にする。

請求項（抜粋）：

第一の材料よりなる基板の表面に第一の材料とは異なる第二の材料の薄膜を作成する薄膜作成方法において、基板の近傍に熱触媒体を配置し、反応性ガスよりなる所定の表面処理用ガスをこの熱触媒体の近傍を通過させるようにして基板に供給して、基板の表面と作成する薄膜との界面欠陥を低減させる所定の表面処理を熱触媒体による表面処理用ガスの反応を利用して行い、その後、当該第二の材料の薄膜を作成することを特徴とする薄膜作成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/31 , H01L 21/205 , H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 21/31 C , H01L 21/205 , H01L 21/316 X

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-334263 出願人：大見忠弘
超硬質膜被覆部材及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-180663 出願人：大阪ダイヤモンド工業株式会社
特開平1-215023

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