特許

J-GLOBAL ID：200903001595933929

半導体素子およびその製造方法

発明者： 野村 康彦 ,  國里 竜也 ,  冨永 浩司 ,  畑 雅幸
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-249024
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077412
出願日： 1999年09月02日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】 低コストおよび高い製造効率で製造が可能でありかつ格子欠陥が低減された半導体素子およびその製造方法を提供することである。【解決手段】 発光ダイオードは、サファイア基板1上にAlGaN低温バッファ層2、Mg-GaN第1高温バッファ層3、アンドープGaN第2高温バッファ層4、n-GaNコンタクト層5、MQW活性層6、アンドープGaN保護層7、p-AlGaNクラッド層8およびp-GaNコンタクト層9が順に形成されている。Mg-GaN第1高温バッファ層3は成長初期から連続膜としてAlGaN低温バッファ層2上に形成される。このため、Mg-GaN第1高温バッファ層3は格子欠陥が低減され良好な結晶性を有しており、薄膜化が可能である。

請求項（抜粋）：

基板上に非単結晶のIII 族窒化物系半導体から構成される第1のバッファ層が形成され、前記第1のバッファ層上に、II族元素がドープされた単結晶のIII 族窒化物系半導体から構成される第2のバッファ層が形成され、前記第2のバッファ層上に、III 族窒化物系半導体から構成される素子領域が形成されたことを特徴とする半導体素子。

Fターム (8件)：

5F041AA31 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 化合物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-221816   出願人：株式会社東芝
• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-128409   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-151392   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体基板及びそれを用いた素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-080286   出願人：日亜化学工業株式会社