特許
J-GLOBAL ID：200903001602562001

光電変換装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
荒井 康行

荒井 康行 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-022471
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231627
出願日： 2001年01月30日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：
【要約】【課題】 結晶化に用いた触媒材料は結晶性珪素膜にとって好ましくない材料であるので、結晶化後はできるだけ濃度にしたい要求がある。珪素中に欠陥準位が多い場合、光生成キャリアは欠陥準位にトラップされ消滅し、光電変換特性が低下させる。本発明の目的は触媒材料による珪素の結晶化と、結晶化した後に不要となった触媒材料を除去して光電変換装置の特性向上を目的とする。【解決手段】 結晶化した後に第1の半導体膜に残存する触媒元素は、その上に希ガス元素を含む第2の半導体膜を形成し、第2の加熱処理を行うことで該第2の半導体膜に移動させ濃集させる。即ち、第2に半導体膜に希ガス元素を含ませることで歪み場を形成し、ゲッタリングサイトとする。希ガス元素は基本的に他の原子と結合を形成しないため、半導体膜中で格子間に挿入されて、それにより歪み場を形成することができる。
請求項（抜粋）：
非晶質構造を有する第1の半導体膜を形成する第1の工程と、前記非晶質構造を有する半導体膜に結晶化を助長する触媒元素を添加して、第1の加熱処理により結晶構造を有する第1の半導体膜を形成する第2の工程と、前記結晶構造を有する第1の半導体膜上に希ガス元素を含有する第2の半導体膜を形成する第3の工程と、第2の加熱処理により、前記触媒元素を前記第2の半導体膜に移動させる第4の工程と、前記第2の半導体膜を除去する第5の工程とを有することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/04
FI (3件)：
H01L 21/20 ,  H01L 27/14 K ,  H01L 31/04 X
Fターム (32件)：
4M118AA01 ,  4M118AB10 ,  4M118BA01 ,  4M118CA14 ,  4M118CB06 ,  4M118CB07 ,  4M118EA20 ,  5F051AA03 ,  5F051CB04 ,  5F051CB13 ,  5F051CB15 ,  5F051CB19 ,  5F051CB21 ,  5F051CB24 ,  5F051CB29 ,  5F051CB30 ,  5F051DA03 ,  5F051GA03 ,  5F051GA06 ,  5F052AA11 ,  5F052AA17 ,  5F052AA24 ,  5F052CA02 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB04 ,  5F052DB07 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052HA06 ,  5F052JA09
引用特許：
審査官引用 (6件)
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