特許
J-GLOBAL ID：200903001627322471

ナノ構造体の基板上への制御下の成長およびそれに基づく電子放出デバイス

発明者：
カビール、モハメド、シャフィクル

カビール、モハメド、シャフィクル について


出願人/特許権者：
スモルテック エービー

スモルテック エービー について


代理人 (4件)： 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  林 鉐三 ,  清水 邦明
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-508795
公開番号（公開出願番号）：特表2008-538854
出願日： 2006年04月25日
公開日（公表日）： 2008年11月06日
要約：
本発明は、金属下層上にナノ構造体を成長させる方法およびそれを作る方法を提供する。請求の範囲の方法に基づいて成長されたナノ構造体は、電子線描画器および電界放出表示装置のような電子デバイスを作製するのに適している。
請求項（抜粋）：
導電基板と、 該導電基板によって支えられるナノ構造体と、 前記導電基板と前記ナノ構造体との間の複数の中間層であって、前記ナノ構造体の形態に影響する少なくとも一つの層と、前記導電基板と前記ナノ構造体との間の界面の電気特性に影響する少なくとも一つの層とを含む前記複数の中間層と を備えるナノ構造体組み立て体。
IPC (6件)：
H01J 1/304 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  H01J 31/12 ,  H01J 37/073 ,  C01B 31/02
FI (6件)：
H01J1/30 F ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01J31/12 C ,  H01J37/073 ,  C01B31/02 101F
Fターム (27件)：
4G146AA11 ,  4G146AA12 ,  4G146AB06 ,  4G146AB08 ,  4G146AC01A ,  4G146BB23 ,  4G146BC42 ,  4G146BC43 ,  5C030CC01 ,  5C036EE14 ,  5C036EE19 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EF09 ,  5C036EG12 ,  5C036EH04 ,  5C036EH11 ,  5C135AA06 ,  5C135AA13 ,  5C135AA15 ,  5C135AB07 ,  5C135AB08 ,  5C135AB13 ,  5C135AC01 ,  5C135HH15 ,  5C135HH17 ,  5C135HH20
引用特許：
出願人引用 (14件)
全件表示
審査官引用 (14件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM