成膜方法、成膜装置およびコンピュータ読取可能な記憶媒体

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-076676
公開番号（公開出願番号）：特開2006-299407
出願日： 2006年03月20日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：

【課題】基板との密着性が良好であり、所定の厚さの連続したCu膜を成膜することができる成膜方法を提供する。【解決手段】チャンバ1内にウエハWを配置し、二価のCuの原料物質をウエハW上に供給し(STEP3)、この原料物質の供給停止後、チャンバ1内の残留ガスを除去し(STEP4)、H2ガスをウエハWに供給し、その際にプラズマによりH2ガスをラジカル化させて、ウエハW上に第1段階のCu膜50aを形成し(STEP5)、H2ガスの供給停止後、チャンバ1内の残留ガスを除去し(STEP6)、一価のCuの原料物質をH2ガスとともにウエハWに供給して、第1段階のCu膜50a上に第2段階のCu膜を形成し、これにより連続したCu膜50bを成膜する(STEP7)。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

二価のCuの原料物質を用いて基板上に第1段階のCu膜を成膜する工程と、一価のCuの原料物質を用いて前記第1段階のCu膜上に第2段階のCu膜を成膜する工程と、を有することを特徴とする成膜方法。

IPC (5件)：

C23C 16/18 , H01L 21/285 , H01L 21/28 , H01L 21/320 , H01L 23/52

FI (5件)：

C23C16/18 , H01L21/285 C , H01L21/28 301R , H01L21/88 M , H01L21/88 R

Fターム (54件)：

4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030AA24 , 4K030BA01 , 4K030BB13 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA03 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030JA01 , 4K030JA10 , 4K030KA41 , 4K030LA15 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104DD43 , 4M104DD45 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104HH08 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH14 , 5F033HH15 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033HH35 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033PP02 , 5F033PP06 , 5F033PP33 , 5F033XX13

引用特許：

出願人引用 (1件)

CVD装置およびCVD方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-313489 出願人：アネルバ株式会社

審査官引用 (6件)

特許第6368954号
半導体装置の製造装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-075195 出願人：日本電気株式会社
特許第6368954号

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引用文献：

審査官引用 (1件)

Atomic Layer Epitaxy of Copper

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