特許
J-GLOBAL ID:200903063199764532
CVD装置およびCVD方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
田宮 寛祉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-313489
公開番号(公開出願番号):特開2000-144420
出願日: 1998年11月04日
公開日(公表日): 2000年05月26日
要約:
【要約】【課題】 配線用銅膜のCVD成膜で、成膜条件の異なる2つのCVDプロセスのそれぞれで好ましい原料を使用して成膜を行い、良好な埋込み特性と大きい成膜速度を実現し、成膜効率と膜質を向上する。【解決手段】 基板に配線用銅膜を成膜するCVD装置は、成膜速度が小さいCu(hfac)(tmvs)系原料を用いて下地としての銅膜を成膜する第1CVDモジュール15と、成膜速度が大きいCu(hfac)(atms)系原料を用いて銅膜の厚みを厚くする成膜を行う第2CVDモジュール16を備える。Cu(hfac)(tmvs)系原料の成膜速度は約100nm/分、Cu(hfac)(atms)系原料の成膜速度は約400nm/分である。高い成膜効率と膜質の両方を達成する実用性のある量産用CVD装置が実現される。
請求項(抜粋):
基板に配線用銅膜を成膜するCVD装置において、Cu(hfac)(tmvs)系原料を用いて成膜を行う第1CVDモジュールと、Cu(hfac)(atms)系原料を用いて成膜を行う第2CVDモジュールを備えたことを特徴とするCVD装置。
IPC (4件):
C23C 16/18
, H01L 21/285
, H01L 21/285 301
, H01L 21/3205
FI (4件):
C23C 16/18
, H01L 21/285 C
, H01L 21/285 301 Z
, H01L 21/88 M
Fターム (20件):
4K030AA11
, 4K030BA01
, 4K030BB13
, 4K030CA04
, 4K030DA01
, 4K030EA01
, 4K030FA10
, 4K030GA12
, 4K030HA01
, 4K030KA08
, 4K030LA15
, 4M104BB04
, 4M104DD44
, 4M104DD45
, 5F033HH11
, 5F033KK11
, 5F033MM01
, 5F033PP01
, 5F033PP06
, 5F033PP33
引用特許:
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