特許
J-GLOBAL ID：200903001767538482
ゲルマニウムドープBPSG薄膜層及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-030522
公開番号（公開出願番号）：特開平9-312290
出願日： 1997年02月14日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：
【要約】【課題】 安定性の比較的低い膜が生成されることなく、Ge-BPSG膜の堆積速度を高くする。【解決手段】 ホウ素、酸素及び珪素と共に、ゲルマニウムを処理チャンバに導入するステップと、チャンバ内の圧力を100〜600トールに設定して、ゲルマニウムドープボロン燐シリケートガラス(Ge-BPSG)層を形成するステップとを備える。
請求項（抜粋）：
処理チャンバ内で基板の上にシリコン酸化物の層を堆積させる方法であって、(a)ホウ素と、燐と、珪素と、酸素と、ゲルマニウムとを備えるプロセスガスを、基板処理チャンバ内に導入するステップと、(b)前記プロセスガスからプラズマを生成して、前記チャンバ内の基板上に、ゲルマニウムドープのボロン燐シリケートガラス(BPSG)層を堆積させるステップとを有する方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/316 H
, H01L 21/31 C
