特許
J-GLOBAL ID：200903001796054796

半導体レーザ、並列伝送用光送信モジュール及びそれらを使用した応用システム

発明者：
中原 宏治

中原 宏治 について

, 
魚見 和久

魚見 和久 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-292394
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135573
出願日： 1996年11月05日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：
【要約】【課題】 n型にドープされた多重量子井戸活性層を有する半導体レーザにおいて、伝送帯側のキャリアオーバーフローを抑制し、n型変調ドープの効果を最大限に発揮できる半導体レーザを提供し、且つ、低しきい電流動作を実現する。【解決手段】 1量子井戸層当たりの光閉じ込め係数を従来のアンドープレーザより小さくすべく、障壁層のバンドギャップを上げる。【効果】 伝導帯側のキャリアオーバーフローの抑制によりn型変調ドープ効果が促進され、光閉じ込め係数の減少を補って光学利得が増加するのでしきい電流を低減することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に量子井戸層と該量子井戸層よりも禁制帯幅の大きい障壁層を交互に重ね合わせた多重量子井戸活性層及びレーザ光を得るための共振器構造を有し、大きな密度の多数電子を発生させるn型の不純物を上記多重量子井戸活性層の一部あるいは全てに導入する半導体レーザにおいて、上記多重量子井戸活性層の1量子井戸層当たりの光閉じ込め係数が多重量子井戸層にn型の不純物を導入しないアンドープ多重量子井戸型半導体レーザが最小のしきい電流を取る場合の1量子井戸層当たり光閉じ込め係数より小さい値を持つことを特徴とする半導体レーザ。
IPC (3件)：
H01S 3/18 ,  H04B 10/28 ,  H04B 10/02
FI (2件)：
H01S 3/18 ,  H04B 9/00 W
引用特許：
審査官引用 (7件)
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