特許

J-GLOBAL ID：200903001854255888

半導体装置

発明者： 中柴 康隆
出願人/特許権者： NECエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-016642
公開番号（公開出願番号）：特開2008-211194
出願日： 2008年01月28日
公開日（公表日）： 2008年09月11日
要約：

【課題】従来の半導体装置においては、配線の伝送特性が不安定となってしまう。【解決手段】半導体装置1は、配線10、およびダミー導体パターン20を備えている。配線10は、5GHz以上の周波数を有する電流が流れる配線である。配線10の近傍には、ダミー導体パターン20が配置されている。ダミー導体パターン20の平面形状は、180°を超える内角を有する図形に等しい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

5GHz以上の周波数を有する電流が流れる配線と、 前記配線の近傍に配置された第1のダミー導体パターンと、を備え、 前記第1のダミー導体パターンの平面形状は、180°を超える内角を有する図形に等しいことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/82

FI (2件)：

H01L27/04 L ,  H01L21/82 W

Fターム (13件)：

5F038AZ04 ,  5F038BH09 ,  5F038BH18 ,  5F038CA18 ,  5F038CD10 ,  5F038CD18 ,  5F038EZ20 ,  5F064EE14 ,  5F064EE27 ,  5F064EE32 ,  5F064EE33 ,  5F064EE44 ,  5F064EE51

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-121428   出願人：富士通株式会社
• 多層配線構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-095535   出願人：富士通株式会社

審査官引用 (3件)

• 最小のパターン密度要件を有する半導体技術向けの誘導性および容量性素子
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2006-520960   出願人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
• スパイラルインダクタおよびこれを備える半導体集積回路装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-295823   出願人：株式会社東芝
• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-095054   出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社