特許
J-GLOBAL ID：200903001890044052

Al-Ni-B合金配線材料及びそれを用いた素子構造

発明者：
占部 宏成

占部 宏成 について

, 
松浦 宜範

松浦 宜範 について

, 
久保田 高史

久保田 高史 について


出願人/特許権者：
三井金属鉱業株式会社

三井金属鉱業株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人 田中・岡崎アンドアソシエイツ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-230512
公開番号（公開出願番号）：特開2007-186779
出願日： 2006年08月28日
公開日（公表日）： 2007年07月26日
要約：
【課題】 薄膜トランジスタや透明電極層を備える表示デバイスにおいて、ITOやIZOなどの透明電極層との直接接合が可能であるとともに、n+-Siなどの半導体層とも直接接合が可能なAl系合金配線材料を提供する。【解決手段】 Al-Ni-B合金配線材料において、ニッケル含有量をニッケルの原子百分率Xat%、ボロンの含有量を原子百分率Yat%とした場合、式0.5≦X≦10.0、0.05≦Y≦11.0、Y+0.25X≧1.0、Y+1.15X≦11.5の各式を満足する領域の範囲内にあり、残部がアルミニウムであるAl-Ni-B合金配線材料とした。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
アルミニウムにニッケルとボロンとを含有したAl-Ni-B合金配線材料において、 ニッケル含有量をニッケルの原子百分率Xat%とし、ボロン含有量をボロンの原子百分率Yat%とした場合、式 0.5≦X≦10.0 0.05≦Y≦11.00 Y+0.25X≧1.00 Y+1.15X≦11.50 の各式を満足する領域の範囲内にあり、残部がアルミニウムであることを特徴とするAl-Ni-B合金配線材料。
IPC (6件)：
C22C 21/00 ,  H01B 1/02 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285
FI (5件)：
C22C21/00 N ,  H01B1/02 B ,  H01L21/88 N ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 S
Fターム (32件)：
4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB36 ,  4M104BB38 ,  4M104CC01 ,  4M104DD37 ,  4M104DD40 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH04 ,  4M104HH15 ,  5F033HH10 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ38 ,  5F033KK01 ,  5F033KK10 ,  5F033LL09 ,  5F033PP15 ,  5F033VV15 ,  5F033WW00 ,  5F033WW04 ,  5F033XX09 ,  5F033XX28 ,  5F033XX34 ,  5G301AA03 ,  5G301AA14 ,  5G301AA30 ,  5G301AB11 ,  5G301AD10 ,  5G301AE10
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM