ドライエッチング性に優れたAl合金配線膜およびAl合金配線膜形成用ターゲット

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-097137
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294556
出願日： 1999年04月05日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】耐ヒロック性、低抵抗特性と、ドライエッチング性を両立したAl合金配線膜およびAl合金膜形成用ターゲットを提供する。【解決手段】 0.1〜2at%の一種類以上の希土類元素に対して、特定量の、B,C,Nの群A、Fe,Co,Niの群B、Zr,Ti,Hf,Nb,Mo,W,Ta,Crの群C、Ir,Re,Pt,Os,Pd,Rh,Ruの群D、In,Sn,Sbの群Eを単独または複合で添加し、残部実質的にAlから成るトライエッチング性に優れたAl合金配線膜およびターゲットである。

請求項（抜粋）：

0.1〜2at%の一種類以上の希土類元素と0.1at%以上のB,C,Nの群Aから選ばれる一種類以上の元素とを、総量で0.5at%以上、10at%以下含有し、残部実質的にAlよりなることを特徴するドライエッチング性に優れたAl合金配線膜。

IPC (5件)：

H01L 21/3205 , C22C 21/00 , C23C 14/34 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3065

FI (5件)：

H01L 21/88 N , C22C 21/00 A , C23C 14/34 A , H01L 21/28 301 L , H01L 21/302 L

Fターム (17件)：

4K029BA23 , 4K029BD02 , 4K029DC04 , 4M104BB02 , 4M104BB38 , 4M104DD40 , 4M104HH03 , 4M104HH20 , 5F004AA09 , 5F004DB12 , 5F004EB02 , 5F033HH10 , 5F033PP15 , 5F033WW04 , 5F033XX00 , 5F033XX16 , 5F033XX21

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開平1-289140
Al系スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-115273 出願人：日立金属株式会社
半導体電極用Al-Ni-Y 合金薄膜および半導体電極用Al-Ni-Y 合金薄膜形成用スパッタリングターゲット
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-093780 出願人：株式会社神戸製鋼所

全件表示

前のページに戻る