特許
J-GLOBAL ID:200903001909227579

基板処理装置および基板処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 松阪 正弘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-313326
公開番号(公開出願番号):特開2006-128332
出願日: 2004年10月28日
公開日(公表日): 2006年05月18日
要約:
【課題】微粒子の粒径の均一化を実現しつつ、微粒子の消費量を抑えるとともに微粒子の被噴射範囲を正確に制御し、効率良く処理を行う。【解決手段】基板洗浄装置1は、洗浄液の液滴を生成する液滴生成部、液滴生成部により生成された液滴を基板9に向けて噴射する噴射ノズル4を備える。噴射ノズル4は、液滴生成部からキャリアガスと共に供給された液滴と、加速ガス供給部から供給された加速ガスとを混合する外部混合型の2流体ノズルである。噴射ノズル4では、液滴噴出口463の周囲全周から加速ガスを噴射してキャリアガスの周囲を囲みつつ加速ガスとキャリアガスとを混合することにより、液滴の粒径の均一化を実現しつつ、液滴の消費量を抑えるとともに液滴の被噴射範囲を正確に制御することができ、基板9の洗浄を効率良く行うことができる。【選択図】図2
請求項(抜粋):
基板に処理を行う基板処理装置であって、 基板を保持する基板保持部と、 キャリアガスにて運ばれる処理用の微粒子を生成する微粒子生成部と、 前記微粒子を前記基板に向けて噴射する外部混合型の2流体ノズルと、 を備え、 前記2流体ノズルが、 前記キャリアガスと共に前記微粒子を噴出する微粒子噴出口と、 前記微粒子噴出口の周囲を囲み、前記キャリアガスよりも高速の加速ガスを噴射して前記キャリアガスと混合するガス噴射部と、 を備えることを特徴とする基板処理装置。
IPC (2件):
H01L 21/304 ,  H01L 21/306
FI (3件):
H01L21/304 643C ,  H01L21/304 643A ,  H01L21/306 R
Fターム (2件):
5F043DD13 ,  5F043EE07
引用特許:
出願人引用 (4件)
  • 洗浄装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-093820   出願人:島田理化工業株式会社
  • 特許第3415670号公報
  • 2相流体ノズル
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-083490   出願人:島田理化工業株式会社
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審査官引用 (4件)
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