バイポーラトランジスタおよびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-006116
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209172
出願日： 1997年01月17日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】エミッタ開口部側壁下部に生じるベース引き出しの多結晶半導体膜の突起によるエミッタ-ベース間のショート、ベース抵抗、ベース-コレクタ間容量の増大やエミッタ寸法のばらつきの問題を解決すること。【解決手段】選択エピタキシャル成長を用いてベース層を形成するバイポーラトランジスタにおいて、エミッタ開口部側壁上部に絶縁膜のひさしを形成することにより、エミッタ開口部側壁下部に生じるベース引き出しの多結晶半導体膜の突起の影響を小さくした。【効果】エミッタ-ベース間がショートすることなしに、従来よりベース抵抗を25%、ベース-コレクタ間容量を30%低減できる。またエミッタ寸法のばらつきを従来の3σ=20%を1%に低減できる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体層の主面上に第1絶縁膜、該第1導電型とは逆の第2導電型の第1多結晶半導体膜、第2絶縁膜をこの順に積層してなる多層膜を有し、該多層膜には該第1導電型の半導体層の主面を露出する開口部が形成され、且つ該開口部には該第1導電型の半導体層主面上に第2導電型の単結晶半導体膜が、該第2導電型の単結晶半導体膜上に第2導電型の第2多結晶半導体膜と第3絶縁膜が夫々形成されてなるバイポーラトランジスタにおいて、上記第2多結晶半導体膜は上記第1多結晶半導体膜の上記開口部内壁に接合されて該開口部を形成し、且つ上記第3絶縁膜は上記第1多結晶半導体膜並びに第2多結晶半導体膜及び第2絶縁膜の上記開口部内壁に接合されて該開口部を形成し、且つ上記第1多結晶半導体膜と上記第3絶縁膜との接合面と該接合面に対向する該第3絶縁膜の開口部壁面との間隔は、上記第2多結晶半導体膜と上記第3絶縁膜との接合面と該接合面に対向する該第3絶縁膜の開口部壁面との間隔より大となるように構成されていることを特徴とするバイポーラトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 29/165

FI (2件)：

H01L 29/72 , H01L 29/165

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-038928 出願人：日本電気株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-196343 出願人：日本電気株式会社
バイポーラトランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-134313 出願人：株式会社日立製作所

全件表示

前のページに戻る