フォトマスク外観検査装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-328098
公開番号（公開出願番号）：特開2000-147748
出願日： 1998年11月18日
公開日（公表日）： 2000年05月26日
要約：

【要約】【課題】実際にウェハ上に転写される露光波長でのマスクパターンの欠陥モード解析を行うことができるフォトマスクの外観検査装置を提供すること。【解決手段】フォトマスクS1のパターンを取り込み、マスクパターンデータS4に変換する。一方、CADパターンS5をマスクパターンデータS7に変換する。両者のマスクパターンデータに対して、露光波長等の光学条件S9を入力し、光シュミレーション処理S8によって得られる光強度分布データS10及びS11をデータ比較評価処理S12することでフォトマスクの欠陥判定を行い、欠陥位置を特定する。欠陥位置の光強度分布データを欠陥モード解析処理S13することで欠陥モードの解析を行い、欠陥情報データベースS15を作成する。

請求項（抜粋）：

CADパターンの光強度シミュレーション結果とフォトマスクを画像入力処理したフォトマスクパターンの光強度シミュレーション結果を比較することで、露光波長での欠陥判定を行い、光強度分布データの信号処理による欠陥モード解析の結果をもとに欠陥情報のデータベースを作成するフォトマスク外観検査装置であって、検査するフォトマスクの画像を入力する画像入力手段と、前記入力された画像をマスクパターンデータに変換する画像データ変換手段と、CADパターンをマスクパターンデータに変換するCADデータ変換手段と、前記画像データ変換手段によって得られたマスクパターンデータから露光波長やデフォーカスなどの光学条件を設定して光強度分布を計算する光強度シミュレーション手段と、前記CADデータ変換手段によって得られたマスクパターンデータから露光波長やデフォーカスなどの光学条件を設定して光強度分布を計算する光強度シミュレーション手段と、前記光強度シミュレーション手段によって得られたマスクパターンの光強度分布とCADパターンの光強度分布を比較することで、欠陥判定を行いその欠陥位置を特定する光強度分布比較評価手段と前記光強度分布比較評価手段によって得られた欠陥位置における断面の光強度分布データを微分処理などの信号処理手法を用いて、欠陥モードを解析する欠陥モード解析手段と前期欠陥モード解析手段によって得られた欠陥情報をもとに、フォトマスク修正工程で利用する欠陥情報データベースを作成する欠陥情報データベース作成手段と、を具備することを特徴とするフォトマスク外観検査装置。

IPC (3件)：

G03F 1/08 , G01N 21/88 , H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 1/08 S , G01N 21/88 J , G01N 21/88 645 A , H01L 21/30 502 V

Fターム (20件)：

2G051AA56 , 2G051AB01 , 2G051AB02 , 2G051AB20 , 2G051CA03 , 2G051EA03 , 2G051EA08 , 2G051EA11 , 2G051EA12 , 2G051EA14 , 2G051EA17 , 2G051EB09 , 2G051EC01 , 2G051EC03 , 2G051ED01 , 2G051ED04 , 2G051ED14 , 2H095AB15 , 2H095BD02 , 2H095BD27

引用特許：

審査官引用 (7件)

レチクル外観検査装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-112702 出願人：日本電気株式会社
フォトマスク欠陥解析装置および欠陥解析方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-103690 出願人：凸版印刷株式会社
パターン画像処理装置及び画像処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-008711 出願人：株式会社東芝

全件表示

前のページに戻る