パワーICデバイス及びその製造方法

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出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-158374
公開番号（公開出願番号）：特開2007-329239
出願日： 2006年06月07日
公開日（公表日）： 2007年12月20日
要約：

【課題】パワーMOSトランジスタ部分のON抵抗が低く、かつ表層チャンネルMOSトランジスタ部分の処理速度が速いパワーICデバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】チップ2aの表面の面方位が、シリコン(110)結晶面から-8°以上+8°以下の面方位であり、Pチャンネル型トレンチパワーMOSトランジスタ10は、チップ2aの表面から垂直に穿孔されたトレンチ3と、トレンチ3内のゲート領域11と、トレンチ3の横壁部分の反転チャンネル領域12と、チップ2aの表面層に設けられたソース領域14と、チップ2aの裏面層に設けられたドレイン領域13とを有する。表層チャンネルMOSトランジスタ20は、反転チャンネル電流の方向が前記シリコン<110>結晶方向から-8°以上+8°以下の方向となるように配設された反転チャンネル領域22を有している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

表層チャンネルMOSトランジスタとPチャンネル型トレンチパワーMOSトランジスタとが同一チップに形成されているパワーICデバイスにおいて、前記チップ表面の面方位が、シリコン(110)結晶面から-8°以上+8°以下の面方位であり、前記Pチャンネル型トレンチパワーMOSトランジスタは、前記チップの表面から垂直に穿孔されることによって、その横壁の少なくとも1面の面方位が、シリコン(110)結晶面から-8°以上+8°以下の面方位となるように形成されたトレンチと、前記トレンチ内に形成されたゲート領域と、前記トレンチの横壁部分に形成されたトレンチパワーMOSトランジスタ反転チャンネル領域と、前記トレンチパワーMOSトランジスタ反転チャンネル領域の上層におけるチップの表面層に設けられ、前記ゲート領域とはゲート絶縁膜によって絶縁されたソース領域と、前記トレンチパワーMOSトランジスタ反転チャンネル領域の下層におけるチップの裏面層に設けられたドレイン領域とを有し、前記ソース領域から前記ドレイン領域に流れる電流が、前記トレンチパワーMOSトランジスタ反転チャンネル領域を、シリコン<110>結晶方向から-8°以上+8°以下の方向に流れる一方、前記表層チャンネルMOSトランジスタは、反転チャンネル電流が、前記チップの表面部分を、前記チップの表面と平行な方向に流れるように配設された表層チャンネルMOSトランジスタ反転チャンネル領域を有していることを特徴とするパワーICデバイス。

IPC (5件)：

H01L 27/088 , H01L 29/78 , H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 21/336

FI (9件)：

H01L29/78 656C , H01L27/08 102B , H01L27/08 102A , H01L27/08 321C , H01L27/08 321A , H01L29/78 653C , H01L29/78 658G , H01L29/78 658F , H01L29/78 658A

Fターム (25件)：

5F048AA00 , 5F048AA05 , 5F048AB10 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048AC06 , 5F048BA02 , 5F048BA06 , 5F048BA10 , 5F048BA19 , 5F048BB06 , 5F048BB19 , 5F048BC03 , 5F048BC07 , 5F048BC12 , 5F048BD02 , 5F048BD07 , 5F048BD10 , 5F048BE02 , 5F048BE03 , 5F048BE04 , 5F048BE05 , 5F048BF16 , 5F048BG12 , 5F048CB07

引用特許：

出願人引用 (3件)

米国特許第4795716号明細書(1989年1月3日特許)
PチャネルパワーMIS電界効果トランジスタおよびスイッチング回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-148275 出願人：大見忠弘, 矢崎総業株式会社
半導体装置、その製造方法、及び、半導体表面の処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-403290 出願人：大見忠弘

審査官引用 (4件)

半導体集積回路装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-035536 出願人：セイコーインスツルメンツ株式会社
MIS形電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-020904 出願人：日産自動車株式会社
特開昭64-076755

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