特許
J-GLOBAL ID：200903010361513860

半導体集積回路装置及びその製造方法

発明者：
原田 博文

原田 博文 について

, 
小山内 潤

小山内 潤 について


出願人/特許権者：
セイコーインスツルメンツ株式会社

セイコーインスツルメンツ株式会社 について


代理人 (1件)： 坂上 正明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-035536
公開番号（公開出願番号）：特開2002-359294
出願日： 2002年02月13日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：
【要約】【課題】 PMOSがNMOSに比べて比較的多く使用され、かつ出力ドライバーにPMOSが用いられる半導体集積回路装置において、安定度、信頼度、パフォーマンスに優れ、かつ低コストの半導体集積回路装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体集積回路装置における、相補型MOSを横型P型MOSFET36とN型MOSFET37で構成し、出力ドライバーを、トレンチ構造のP型縦型MOSFET38で構成し、それぞれのMOSFETのゲート電極の導電型をP型とした。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、ソース領域及びドレイン領域を平面方向に配した横型MOSトランジスタと、ソース領域及びドレイン領域を深さ方向に配した縦型MOSトランジスタを有し、前記横型MOSトランジスタ及び縦型MOSトランジスタのゲート電極の導電型がP型であることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (5件)：
H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 29/78 656
FI (5件)：
H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 656 C ,  H01L 27/08 321 G ,  H01L 27/08 321 D
Fターム (25件)：
5F048AA01 ,  5F048AA09 ,  5F048AB07 ,  5F048AB08 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048AC02 ,  5F048AC03 ,  5F048BA02 ,  5F048BA12 ,  5F048BA19 ,  5F048BB05 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB10 ,  5F048BB12 ,  5F048BB20 ,  5F048BC03 ,  5F048BC06 ,  5F048BD05 ,  5F048BD07 ,  5F048BE01 ,  5F048BE02 ,  5F048BE03 ,  5F048CB07
引用特許：
出願人引用 (14件)
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-281355   出願人：日本電気株式会社
  • CMOS半導体装置とその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-210368   出願人：株式会社リコー
  • 相補型半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-338340   出願人：ソニー株式会社
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審査官引用 (15件)
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-281355   出願人：日本電気株式会社
  • CMOS半導体装置とその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-210368   出願人：株式会社リコー
  • 相補型半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-338340   出願人：ソニー株式会社
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