PチャネルパワーMIS電界効果トランジスタおよびスイッチング回路

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-148275
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356114
出願日： 2003年05月26日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：

【課題】NチャネルパワーMIS電界効果トランジスタと同等サイズ、同等コストで同等以上の性能を得る。【解決手段】実質的に(110)面を有するシリコン表面に形成されたPチャネルパワーMIS電界効果トランジスタにおいて、ゲート、ソース間耐電圧を10V以上とし、かつシリコン表面を平坦化するか、Kr、ArまたはXeを含むゲート絶縁膜を用いる。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

表面が実質的に(110)面であるシリコン領域を有する基板と、前記表面上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極とを有し、前記シリコン領域を少なくともチャンネルに用いたPチャンネルMIS電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁膜のうち少なくとも前記シリコン領域の表面と接する接触部にはアルゴン、クリプトンまたはキセノンが含まれ、かつ前記PチャンネルMIS電界効果トランジスタのソース、ゲート間耐電圧が10ボルト以上であることを特徴とするPチャンネルパワーMIS電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L29/78 , H01L21/316 , H01L21/318

FI (5件)：

H01L29/78 301G , H01L29/78 652K , H01L29/78 653A , H01L21/316 M , H01L21/318 M

Fターム (52件)：

5F058BA01 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BC08 , 5F058BC09 , 5F058BC11 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BD10 , 5F058BD12 , 5F058BD15 , 5F058BF02 , 5F058BF22 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF73 , 5F058BF74 , 5F058BJ01 , 5F140AA05 , 5F140AA23 , 5F140AA29 , 5F140AC01 , 5F140AC23 , 5F140BA01 , 5F140BA16 , 5F140BA20 , 5F140BC06 , 5F140BC12 , 5F140BD01 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD15 , 5F140BD17 , 5F140BD20 , 5F140BE02 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG12 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH15 , 5F140BJ15 , 5F140BJ23 , 5F140BK02 , 5F140CB04

引用特許：

審査官引用 (7件)

<110>方位のシリコン表面上に形成された半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-307899 出願人：大見忠弘
ウエット処理方法および処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-184893 出願人：大見忠弘
洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-129638 出願人：大見忠弘, 株式会社ウルトラクリーンテクノロジー開発研究所

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引用文献：

審査官引用 (3件)

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