特許

J-GLOBAL ID：200903001963115719

絶縁ゲート型半導体装置及びその駆動方法

発明者： 永井 秀明 ,  鷹尾 義弘 ,  佐藤 成生
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (4件)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-232461
公開番号（公開出願番号）：特開2006-049781
出願日： 2004年08月09日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：

【課題】 絶縁ゲート型半導体装置及びその駆動方法に関し、高駆動電流化及び微細化構造においても基板バイアス効果によってオフリークIoff を低減して低消費電力化を実現する。【解決手段】 幅が3〜20nmの第1のサイドウォール4、幅が30nm〜60nmの第2のサイドウォール5、及び、その外側に第3のサイドウォール6を有するとともに、第1のサイドウォール4の直下に第1のサイドウォール4と自己整合する長さのエクスエンション領域7を設けるとともに、第2のサイドウォール5の直下に第2のサイドウォール5と自己整合する長さで且つエクステンション領域7と深接合のソース・ドレイン領域9の中間の深さのバッファ領域8を設けてソース・ドレイン構造を3重構造にする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

幅が3〜20nmの第1のサイドウォール、幅が30nm〜60nmの第2のサイドウォール、及び、その外側に第3のサイドウォールを有するとともに、前記第1のサイドウォールの直下に第1のサイドウォールと自己整合する長さのエクスエンション領域を設けるとともに、前記第2のサイドウォールの直下に第2のサイドウォールと自己整合する長さで、且つ、前記エクステンション領域と深接合のソース・ドレイン領域の中間の深さのバッファ領域を設けてソース・ドレイン構造を3重構造にしたことを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092

FI (6件)：

H01L29/78 301S ,  H01L21/28 301A ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G ,  H01L27/08 321E

Fターム (76件)：

4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104BB01 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD43 ,  4M104DD84 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F048AA08 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB11 ,  5F048BC05 ,  5F048BC06 ,  5F048BD09 ,  5F048BE03 ,  5F048BE09 ,  5F048BF06 ,  5F048BG13 ,  5F048DA04 ,  5F048DA23 ,  5F048DA25 ,  5F048DA30 ,  5F140AA05 ,  5F140AA24 ,  5F140AB03 ,  5F140AC09 ,  5F140BA01 ,  5F140BA05 ,  5F140BA17 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD10 ,  5F140BD12 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG09 ,  5F140BG10 ,  5F140BG12 ,  5F140BG28 ,  5F140BG45 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH05 ,  5F140BH14 ,  5F140BH21 ,  5F140BH35 ,  5F140BH36 ,  5F140BH43 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ25 ,  5F140BK02 ,  5F140BK10 ,  5F140BK13 ,  5F140BK14 ,  5F140BK21 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CF07

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 電界効果トランジスタ、それを有する半導体集積回路装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-162441   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-007778   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-012657   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-326518   出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (3件)

• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-007778   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-012657   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-326518   出願人：松下電器産業株式会社