特許
J-GLOBAL ID：200903002037764947
磁気抵抗素子及び磁性メモリー及びそれらの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
二瓶 正敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-367637
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196164
出願日： 1998年12月24日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：
【要約】【課題】 グラニュラー薄膜を用いた磁気抵抗素子及び磁性メモリーにおいて、外部磁界に対して十分な磁気抵抗変化を発現させることは困難であった。【解決手段】 SiO2マトリックス31中に、Fe-Co合金微粒子32が分散されたグラニュラー薄膜3を磁気抵抗素子に用いる。さらに、このグラニュラー薄膜よりなる単層の情報記録層を有する磁性メモリーとする。また、このグラニュラー薄膜を成膜する工程において、非磁性基板1に高周波バイアスを印加するとともに、基板の加熱温度を調整して所要の特性を発現させる。
請求項（抜粋）：
SiO2マトリックス中に、Fe-Co合金微粒子が分散されたグラニュラー薄膜を用い、外部磁界がゼロの時に最大抵抗値を示す磁気抵抗素子。
IPC (5件)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, G11C 11/15
, H01F 10/32
, H01L 43/12
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, G11C 11/15
, H01F 10/08 A
, H01L 43/12
5D034BA03
, 5D034BA04
, 5D034DA07
, 5E049AA01
, 5E049AA09
, 5E049AC00
, 5E049AC05
, 5E049BA12
, 5E049GC04
