特許
J-GLOBAL ID:200903002157083579
薄膜太陽電池の製造方法及び同薄膜の成膜状態監視装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山口 巖 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-163805
公開番号(公開出願番号):特開2000-353814
出願日: 1999年06月10日
公開日(公表日): 2000年12月19日
要約:
【要約】【課題】 光電変換層,透明電極層などの成膜状態の異常を、簡便かつ安価な方法により製造プロセスにおいて監視可能とし、生産性向上と量産コスト低減を図った薄膜太陽電池の製造方法及び同薄膜の成膜状態監視装置を提供する。【解決手段】 太陽電池表面に白色光を照射するための白色光源1と、照射光と反射光を誘導する光ファイバー2と、光の反射スペクトルを測定するための分光器5および検出器6と、300nmから600nmの波長領域における反射スペクトルのスロープの変化による透明電極層の光学的膜厚情報の変動に基づき、透明電極層の成膜状態の正常,異常の判定機能を有するCPU7、もしくは、500nmから2500nmの波長領域における反射スペクトルの干渉周期の変化による光電変換層の光学的膜厚情報の変動に基づき、光電変換層の成膜状態の正常,異常の判定機能を有するCPU7とを備えたものとする。
請求項(抜粋):
電気絶縁性を有するフィルム基板の表面に下電極層としての金属電極層,光電変換層,透明電極層を順次積層してなる薄膜太陽電池の製造方法において、形成された前記透明電極層の表面に白色光を照射してその反射スペクトルを測定し、300nmから600nmの波長領域における反射スペクトルのスロープの変化による透明電極層の光学的膜厚情報の変動に基づき、透明電極層の成膜状態の監視を行うことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
Fターム (8件):
5F051AA05
, 5F051BA14
, 5F051CB27
, 5F051FA02
, 5F051FA06
, 5F051FA30
, 5F051GA03
, 5F051GA05
引用特許:
審査官引用 (10件)
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特開昭61-222282
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特開昭62-062513
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薄膜太陽電池の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-189148
出願人:富士電機株式会社
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