特許
J-GLOBAL ID:200903002257590559
熱伝導率の高い垂直共振器型面発光レーザ
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
古谷 聡
, 溝部 孝彦
, 西山 清春
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-166540
公開番号(公開出願番号):特開2005-354061
出願日: 2005年06月07日
公開日(公表日): 2005年12月22日
要約:
【課題】 熱の分布特性を改善することにより、熱が及ぼす悪影響を軽減又は解消することのできる発光装置を提供する。【解決手段】 本発明の光装置は、既知の波長の光を発生するように適合されている発光層(40)と、発光層(40)の上方の上部反射器(20)と、発光層(40)の下方の下部反射器(30)と、発光層(40)と下部反射器(30)の間及び発光層(40)と上部反射器(20)の間の少なくともどちらか一方の高熱伝導率(HTC)層(102)とからなることを特徴とする。【選択図】 図4
請求項(抜粋):
既知の波長の光を発生するように適合されている発光層(40)と、
前記発光層(40)の上方の上部反射器(20)と、
前記発光層(40)の下方の下部反射器(30)と、
前記発光層(40)と前記下部反射器(30)の間及び前記発光層(40)と前記上部反射器(20)の間の少なくともどちらか一方の高熱伝導率(HTC)層(102)と
からなる発光装置。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (10件):
5F173AC03
, 5F173AC13
, 5F173AC20
, 5F173AC35
, 5F173AC52
, 5F173AG05
, 5F173AH02
, 5F173AJ06
, 5F173AJ13
, 5F173AR72
引用特許:
審査官引用 (7件)
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半導体レーザ素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-308509
出願人:古河電気工業株式会社
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特開平4-234183
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ヘテロ接合型半導体レーザ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-165943
出願人:ソニー株式会社
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