特許
J-GLOBAL ID：200903021110740304
半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-308509
公開番号（公開出願番号）：特開2004-146515
出願日： 2002年10月23日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：
【課題】高出力動作が可能で、温度特性が良好な面発光レーザ素子を提供すること。【解決手段】面発光レーザ素子1は、p型基板2を使用し、n型反射層8側に電流狭窄層7を積層し、電流狭窄層7により狭窄された電流が流れるn型半導体層を、Al組成の設定により抵抗率を高め電子の移動度を低く制御した半導体により形成されている。このような面発光レーザ素子を構成することで、活性層5への加工損傷の防止、および、発生した熱の効率の良い放熱が可能となり、低い閾値電流で動作し、高い光出力を可能とする面発光レーザ素子の作製が可能となる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に積層された活性層と、レーザ発振するための共振器構造と、外部から注入された電流を狭窄して前記活性層に供給する電流狭窄層とを有する半導体レーザ素子において、
前記活性層と前記電流狭窄層との間に積層され、Al組成が0.4以上であり、かつ、電気抵抗率が0.1Ω・cm以上であるn型半導体層を備えたことを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S5/183
, H01S5/042 610
5F073AA09
, 5F073AA46
, 5F073AA74
, 5F073AA89
, 5F073AB17
, 5F073BA02
, 5F073BA09
, 5F073CA05
, 5F073CB02
, 5F073DA05
, 5F073DA21
, 5F073DA27
, 5F073DA35
, 5F073EA23
, 5F073EA24
, 5F073EA29
