特許
J-GLOBAL ID：200903002270688304

イオンビーム加工装置および試料作製方法

発明者：
志知 広康

志知 広康 について

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福田 宗行

福田 宗行 について

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兼岡 則幸

兼岡 則幸 について

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梅村 馨

梅村 馨 について


出願人/特許権者：
株式会社日立ハイテクノロジーズ

株式会社日立ハイテクノロジーズ について


代理人 (2件)： 作田 康夫 ,  井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-325811
公開番号（公開出願番号）：特開2006-139917
出願日： 2004年11月10日
公開日（公表日）： 2006年06月01日
要約：
【課題】本願の目的は、ウェーハをプロセスに問題となるGaのような元素で汚染することなく、ウェーハから解析用サンプルを分離方法および装置を提供することにある。【解決手段】本発明によるイオンビーム加工装置は、真空容器41を有しており、真空容器内には、デュオプラズマトロン81、イオンビームレンズ82、対物絞り83、などから構成されており、酸素イオンビーム照射とシリコンプローブ3により基板からマイクロサンプル6を摘出する。【効果】本願によると、半導体デバイス等の歩留向上のために、途中の検査がウェーハを割ることなく実施でき、さらにウェーハをプロセスに問題となるような元素で汚染することなく、解析用サンプルを分離する試料作製方法およびイオンビーム加工装置が提供される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
イオン源と、試料を保持する試料台と、前記試料にイオン源から放出するイオンビームを照射する照射光学系と、前記イオンビームにより分離加工された試料片を移送するためのプローブとを有し、前記イオン源で生成されるイオンビームは、元素種として不活性ガス種、酸素または窒素のいずれかを含み、前記プローブはシリコン、ゲルマニウムまたはカーボンのいずれかを含むことを特徴とするイオンビーム加工装置。
IPC (5件)：
H01J 37/31 ,  G01N 1/32 ,  H01J 37/20 ,  H01J 37/317 ,  G01N 1/28
FI (5件)：
H01J37/31 ,  G01N1/32 B ,  H01J37/20 Z ,  H01J37/317 D ,  G01N1/28 G
Fターム (11件)：
2G052AA13 ,  2G052AD32 ,  2G052AD52 ,  2G052EC14 ,  2G052EC18 ,  2G052GA35 ,  5C001BB07 ,  5C001CC07 ,  5C034DD01 ,  5C034DD03 ,  5C034DD09
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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