半導体デバイスの製造方法及び処理方法並びにヘリコン波プラズマ型イオン源及び集束イオンビーム装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-308319
公開番号（公開出願番号）：特開平10-149788
出願日： 1996年11月19日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：

【要約】【課題】半導体デバイス等の試料の電気的特性に悪影響を与えずに加工、観察ができ、しかも加工速度の向上、チャージアップの防止や選択比の向上を可能とする改良がなされた集束イオンビーム装置並びに処理方法および半導体デバイスの製造方法を実現する。【解決手段】ヘリコン波プラズマイオン源100からイオンビームの電流密度を増加し、半導体デバイス等の試料の電気的特性に悪影響を与えないイオンを引き出し、集束レンズ7および対物レンズ14で集束イオンビームとして半導体デバイス等の試料を加工、検査、観察等の処理をする。

請求項（抜粋）：

ヘリコン波を励起してガスをプラズマ化してイオンビームを出射するヘリコン波プラズマ型イオン源と、該ヘリコン波プラズマ型イオン源から出射されたイオンビームを集束する静電光学系とを備えたことを特徴とする集束イオンビーム装置。

IPC (4件)：

H01J 37/08 , H01J 27/16 , H01J 37/317 , H01L 21/3065

FI (4件)：

H01J 37/08 , H01J 27/16 , H01J 37/317 D , H01L 21/302 D

引用特許：

審査官引用 (6件)

検査方法およびその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-131689 出願人：株式会社日立製作所
プラズマ源
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-314157 出願人：日本真空技術株式会社
プラズマ処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-319358 出願人：アネルバ株式会社

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