特許
J-GLOBAL ID：200903002285405384
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-166669
公開番号（公開出願番号）：特開2007-281512
出願日： 2007年06月25日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：
【課題】 溝の微細化に伴うオン抵抗の増加を抑制する。【解決手段】 半導体基板の主面の第1半導体領域と、前記第1半導体領域上に形成され、前記第1半導体領域と逆の導電型を持つ第2半導体領域と、前記第2半導体領域内に形成され、前記第1半導体領域と同一導電型の第3半導体領域と、前記第1、第2及び第3半導体領域内に形成され、前記半導体基板の主面の第1方向に延在する溝と、前記溝内及び溝外に形成された絶縁膜と、前記溝内及び溝外の絶縁膜上に形成された導電体とを有する半導体装置であって、 前記第1方向に垂直な第2方向を含む平面内において、前記溝外に形成された導電体の第2方向の幅は、前記溝内に形成された導電体の第2方向の幅より大きく、前記溝外に形成された導電体の厚さは、前記溝内に形成された導電体の第2方向の幅よりも大きい。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
半導体基板の主面の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域上に形成され、前記第1半導体領域と逆の導電型を持つ第2半導体領域と、
前記第2半導体領域内に形成され、前記第1半導体領域と同一導電型の第3半導体領域と、
前記第1、第2及び第3半導体領域内に形成され、前記半導体基板の主面の第1方向に延在する溝と、
前記溝内及び溝外に形成された絶縁膜と、
前記溝内及び溝外の絶縁膜上に形成された導電体とを有する半導体装置であって、
前記第1方向に垂直な第2方向を含む平面内において、前記溝外に形成された導電体の第2方向の幅は、前記溝内に形成された導電体の第2方向の幅より大きく、
前記第3半導体領域は、前記溝外に形成された導電体の垂直下方及び垂直下方外に形成され、かつ前記溝と接していることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (7件)：
H01L29/78 653A
, H01L29/78 652K
, H01L29/78 652M
, H01L29/78 652D
, H01L29/78 658D
, H01L29/78 652B
, H01L29/78 652S
