半導体薄膜およびその作製方法ならびに半導体装置およびその作製方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-336341
公開番号（公開出願番号）：特開平9-289168
出願日： 1996年12月02日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：

【要約】【目的】単結晶に匹敵する結晶性を有する半導体薄膜およびそれを用いて形成した活性層を有する半導体装置を得る。【構成】非晶質珪素膜104の下面に接する酸化珪素膜102に意図的に凹または凸パターン103を設け、結晶化を助長する金属元素が偏析し易いサイトを形成する。すると凹または凸パターン103を配置した位置に結晶核を選択的に形成する事が可能となり、結晶粒径を制御することができる。また、こうして得られた結晶性珪素膜109をハロゲン元素を含む雰囲気で加熱処理して、実質的に結晶粒界が存在しないモノドメイン領域を形成する。

請求項（抜粋）：

表面に絶縁膜を有する基体上に形成された半導体薄膜であって、前記半導体薄膜は前記基体と概略平行な柱状または針状結晶が複数集合して形成されるモノドメイン領域を有し、前記半導体薄膜の下面に接する前記絶縁膜には意図的に形成された凹または凸パターンが設けられていることを特徴とする半導体薄膜。

IPC (6件)：

H01L 21/20 , H01L 21/02 , H01L 21/324 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/205

FI (8件)：

H01L 21/20 , H01L 21/02 B , H01L 21/324 Z , H01L 21/205 , H01L 29/78 613 A , H01L 29/78 616 S , H01L 29/78 616 A , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (6件)

多結晶半導体膜、それを用いた半導体装置及び太陽電池並びにその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-118173 出願人：三洋電機株式会社
半導体結晶の成長方法及びMOS型トランジスタの作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-301565 出願人：ソニー株式会社
特開平2-143417

全件表示

前のページに戻る