半導体発光素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-259068
公開番号（公開出願番号）：特開2008-103711
出願日： 2007年10月02日
公開日（公表日）： 2008年05月01日
要約：

【課題】半導体発光素子を提供する。【解決手段】基板100上に形成されたn型コンタクト層200と、n型コンタクト層200上に形成され、二つ以上の量子ウェル層と二つ以上の障壁層とから構成された活性層250と、活性層250上に形成されたp型コンタクト層300と、を備え、量子ウェル層のエネルギーバンドギャップは、n型コンタクト層200に近いほど大きく、及び/または量子ウェル層の厚さは、n型コンタクト層200に近いほど薄く、及び/または障壁層のエネルギーバンドギャップは、n型コンタクト層200に近いほど大きいことを特徴とする半導体発光素子である。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたn型コンタクト層と、前記n型コンタクト層上に形成され、二つ以上の量子ウェル層と二つ以上の障壁層とを備える活性層と、前記活性層上に形成されたp型コンタクト層と、を備え、前記量子ウェル層と前記障壁層のうち少なくとも一つのエネルギーバンドギャップと層の厚さのうち少なくとも一つは、前記n型コンタクト層からの距離に依存して異なることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01S 5/343

FI (2件)：

H01L33/00 C , H01S5/343 610

Fターム (9件)：

5F041AA03 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA40 , 5F173AF06 , 5F173AF13 , 5F173AH22 , 5F173AR03 , 5F173AR23

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-315202 出願人：富士通株式会社
多重量子井戸型半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-299448 出願人：日本電気株式会社
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-215184 出願人：株式会社デンソー

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