特許
J-GLOBAL ID：200903097883498436

窒化物半導体素子

発明者：
小崎 徳也

小崎 徳也 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-174903
公開番号（公開出願番号）：特開2002-223042
出願日： 2001年06月08日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：
【要約】【課題】 従来、窒化物半導体素子中の量子井戸構造の活性層として、n型窒化物半導体、n型不純物を含有した窒化物半導体などが用いられてきたが、さらなる活性層の特性向上が必要であった。また、窒化物半導体素子は、素子寿命、静電耐圧の特性のさらなる向上が必要である。【解決手段】 本発明は、p型窒化物半導体層11、n型窒化物半導体層13に挟まれる活性層12として、n型不純物を有する障壁層2aと、Inを含む窒化物半導体からなる井戸層1aと、p型不純物を有する、若しくはアンドープで成長させた障壁層2cとを少なくとも有し、該障壁層2をp型層側に最も近い障壁層として配置することで、活性層12への好適なキャリアの注入が可能となる。
請求項（抜粋）：
Inを含む窒化物半導体からなる井戸層と窒化物半導体からなる障壁層を有する量子井戸構造の活性層を、p型窒化物半導体層と、n型窒化物半導体層とで挟む構造を有する窒化物半導体素子において、前記活性層が前記障壁層として、前記p型窒化物半導体層に最も近い位置に配置された第1の障壁層と、該第1の障壁層とは異なる第2の障壁層と、を有すると共に、前記第1の障壁層が、実質的にn型不純物を含まず、前記第2の障壁層がn型不純物を有することを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (2件)：
H01S 5/343 610 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S 5/343 610 ,  H01L 33/00 C
Fターム (28件)：
5F041AA04 ,  5F041AA43 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CB15 ,  5F073AA11 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073AA83 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB14 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F073EA24 ,  5F073EA28
引用特許：
審査官引用 (8件)
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