特許
J-GLOBAL ID:200903002388244583

電子部品に埋設するキャパシタ層を形成するために用いる薄い誘電層を備えたキャパシタ材料及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 田中 大輔
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-250322
公開番号(公開出願番号):特開2002-164253
出願日: 2001年08月21日
公開日(公表日): 2002年06月07日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 層内の微細なボイドまたは他の構造的な欠陥のないキャパシタ材料を提供する。【解決手段】第1導電性層1と、当該第1導電性層1の表面上に位置する第1誘電体層2と、前記第1誘電体層2の上に位置する第2誘電体層5と、前記第2誘電体層5の上に位置する第2導電性層4とからなり、第1導電性層1と第2導電性層4との間に、第1誘電体層2と第2誘電体層5とからなる誘電体層が狭持された構造を持つキャパシタ材料8を用いることによる。
請求項(抜粋):
第1導電性層と、当該第1導電性層表面上に位置する第1誘電体層と、前記第1誘電体層上に位置する第2誘電体層と、前記第2誘電体層上に位置する第2導電性層とからなり、第1導電性層と第2導電性層との間に、第1誘電体層と第2誘電体層とからなる誘電体層が狭持されたキャパシタ材料。
IPC (6件):
H01G 4/20 ,  H01G 4/10 ,  H01G 4/18 321 ,  H01G 4/18 330 ,  H01L 25/00 ,  H05K 1/16
FI (6件):
H01G 4/20 ,  H01G 4/10 ,  H01G 4/18 321 ,  H01G 4/18 330 A ,  H01L 25/00 B ,  H05K 1/16 D
Fターム (29件):
4E351BB03 ,  4E351BB30 ,  4E351BB32 ,  4E351DD04 ,  4E351DD05 ,  4E351DD06 ,  4E351DD08 ,  4E351DD10 ,  4E351DD17 ,  4E351DD19 ,  4E351DD21 ,  4E351DD28 ,  4E351DD48 ,  5E082BC38 ,  5E082EE03 ,  5E082EE05 ,  5E082EE23 ,  5E082EE25 ,  5E082EE26 ,  5E082EE37 ,  5E082FF14 ,  5E082FF15 ,  5E082FG06 ,  5E082FG07 ,  5E082FG25 ,  5E082FG26 ,  5E082FG27 ,  5E082FG34 ,  5E082PP09
引用特許:
審査官引用 (7件)
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