薄膜形成方法及び薄膜デバイス

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：梶原康稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-073527
公開番号（公開出願番号）：特開2004-281869
出願日： 2003年03月18日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：

【課題】異種材料の結晶成長において、基板上の結晶薄膜中の残留応力を低減する。【解決手段】基板主面10A上には、該基板10と異なる材料によって、垂直方向に切り立った結晶薄膜16が形成される。該結晶薄膜16は、縦長の3次元構造による変形の自由度を有するため、格子不整合や熱膨張係数差などに起因して基板10と結晶薄膜16との界面16Bに応力が発生する場合であっても、上面16A側においては残留応力がほぼ存在しない状態となる。更に、結晶薄膜の縦横比T/Dを1以上とする,あるいは、基板10と結晶薄膜16との不整合によって発生する応力と、基板のそりに起因する応力とを打ち消し合うように結晶薄膜16の高さを設定する,のいずれかによって結晶薄膜16の構造設計を最適化することにより、無転位・低残留応力領域の成長が実現される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板の主面上に、該基板と異なる材料によって結晶薄膜を形成する薄膜形成方法であって、前記基板の主面法線方向に前記結晶薄膜を成長させて、縦長の3次元構造の結晶薄膜を得ることを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (8件)：

H01L21/205 , C30B23/08 , C30B25/04 , C30B29/02 , C30B29/38 , C30B29/40 , C30B29/42 , H01L21/20

FI (8件)：

H01L21/205 , C30B23/08 M , C30B25/04 , C30B29/02 , C30B29/38 D , C30B29/40 502F , C30B29/42 , H01L21/20

Fターム (34件)：

4G077AA03 , 4G077BA05 , 4G077BE15 , 4G077BE44 , 4G077BE46 , 4G077DA05 , 4G077DB08 , 4G077ED06 , 4G077EE06 , 4G077EE07 , 4G077SC01 , 4G077TB05 , 4G077TC13 , 4G077TC19 , 4G077TK04 , 4G077TK08 , 5F045AA04 , 5F045AB05 , 5F045AB09 , 5F045AB10 , 5F045AB12 , 5F045AB14 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF09 , 5F045AF16 , 5F045AF20 , 5F045BB11 , 5F045DA69 , 5F045DB01 , 5F052DA04 , 5F052JA10 , 5F052KA01 , 5F052KA05

引用特許：

出願人引用 (5件)

単結晶薄膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-052376 出願人：東京大学長
特開平4-084418
特開平4-162614

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審査官引用 (6件)

単結晶薄膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-052376 出願人：東京大学長
特開平4-162614
特開平4-084418

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引用文献：

出願人引用 (1件)

GaAs/Siの弾性変形解析

審査官引用 (1件)

GaAs/Siの弾性変形解析

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