特許
J-GLOBAL ID：200903002421449030
半導体薄膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-006591
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209048
出願日： 1997年01月17日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】 従来の技術では得られなかった、高効率の太陽電池に適した浅くて高濃度のドープ層を構成する半導体薄膜を形成する。【解決手段】 真空チャンバ内で、ターゲットにレーザービームを照射し、この照射によるターゲットからの放出物を基板上に堆積させるレーザーアブレーション法による半導体薄膜の形成方法において、半導体ターゲットおよびドーパント含有ターゲットにレーザービームを照射することにより、基板上に、ドープされた半導体薄膜を形成する。
請求項（抜粋）：
真空チャンバ内で、ターゲットにレーザービームを照射し、この照射によるターゲットからの放出物を基板上に堆積させるレーザーアブレーション法による半導体薄膜の形成方法において、半導体ターゲットおよびドーパント含有ターゲットにレーザービームを照射することにより、基板上に、ドープされた半導体薄膜を形成することを特徴とする半導体薄膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/203
, C23C 14/28
, H01L 31/04
H01L 21/203 S
, C23C 14/28
, H01L 31/04 X
