特許
J-GLOBAL ID：200903051442398541
トンネル型磁気検出素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
野▲崎▼ 照夫
, 三輪 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-005497
公開番号（公開出願番号）：特開2007-189039
出願日： 2006年01月13日
公開日（公表日）： 2007年07月26日
要約：
【課題】 絶縁障壁層とホイスラー合金層との結晶配向性を調整することで、高い磁気抵抗変化率を得ることが可能なトンネル型磁気検出素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ホイスラー合金層4c2は膜面に平行な方向に代表的に{110}面として表される等価な結晶面が優先配向し、前記ホイスラー合金層4c2上の絶縁障壁層5はMgOで形成され、前記絶縁障壁層5は膜面と平行な方向に代表的に{100}面あるいは{110}面として表される等価な結晶面が優先配向している。これにより、ホイスラー合金層4c2と絶縁障壁層5との格子整合性を向上させることができ、よってホイスラー合金層4c2/絶縁障壁層5の界面でのスピン分極率の向上、及び前記界面での元素拡散を抑制でき、従来に比べて抵抗変化率(ΔR/R)が高いトンネル型磁気検出素子を得ることが出来る。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
下から第1強磁性層、絶縁障壁層、第2強磁性層の順に積層され、一方の前記強磁性層は、磁化が固定される固定磁性層で、他方の前記強磁性層は、磁化が外部磁界により変動するフリー磁性層であり、
前記第1強磁性層、あるいは、前記第2強磁性層、又は前記第1強磁性層及び前記第2強磁性層は前記絶縁障壁層に接して形成されるホイスラー合金層を有し、前記ホイスラー合金層は膜面に平行な方向に代表的に{110}面として表される等価な結晶面が優先配向し、
前記絶縁障壁層はMgOで形成され、前記絶縁障壁層は、膜面と平行な方向に代表的に{100}面として表される等価な結晶面、あるいは、膜面と平行な方向に代表的に{110}面として表される等価な結晶面が優先配向していることを特徴とするトンネル型磁気検出素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, H01L 43/10
, C22C 19/07
H01L43/08 M
, H01L43/08 Z
, G11B5/39
, H01L43/10
, C22C19/07 C
5D034BA03
, 5F092AA02
, 5F092AB02
, 5F092AB06
, 5F092AC11
, 5F092BB09
, 5F092BB10
, 5F092BB17
, 5F092BB22
, 5F092BB24
, 5F092BB31
, 5F092BB36
, 5F092BB42
, 5F092BB53
, 5F092BB66
, 5F092BC04
, 5F092BC12
, 5F092BC13
, 5F092BC45
, 5F092BE21
, 5F092CA02
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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