トンネル磁気抵抗効果素子

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：須田篤 , 楠修二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-052767
公開番号（公開出願番号）：特開2008-218641
出願日： 2007年03月02日
公開日（公表日）： 2008年09月18日
要約：

【課題】少なくとも一方の強磁性体にスピン分極率がほぼ100%のフルホイスラー合金を具えるトンネル磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】第1の強磁性体と、第2の強磁性体と、これら強磁性体間に挟まれて存在する絶縁体とを具え、強磁性体の少なくとも一方は、基材上に(100)面にエピタキシャル成長したフルホイスラー合金の単結晶を有し、フルホイスラー合金と絶縁体との間に薄いMg層を具えている。フルホイスラー合金は、X2YZの組成式で表わされる金属間化合物であることが好ましい。特に、フルホイスラー合金は、Co2MnSiからなることが好ましい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の強磁性体と、第2の強磁性体と、これら強磁性体間に挟まれて存在する絶縁体とを具え、前記強磁性体の少なくとも一方は、基材上に(100)面にエピタキシャル成長したフルホイスラー合金の単結晶を有し、前記フルホイスラー合金と前記絶縁体との間に薄いMg層を具えることを特徴とする、トンネル磁気抵抗効果素子。

IPC (7件)：

H01L 43/08 , G11B 5/39 , G01R 33/09 , H01F 10/16 , H01F 10/30 , H01F 41/32 , H01F 41/28

FI (8件)：

H01L43/08 M , H01L43/08 Z , G11B5/39 , G01R33/06 R , H01F10/16 , H01F10/30 , H01F41/32 , H01F41/28

Fターム (34件)：

2G017AD55 , 2G017AD56 , 2G017AD62 , 2G017AD63 , 5D034BA03 , 5D034BA05 , 5D034BA15 , 5D034DA07 , 5E049AA04 , 5E049AC05 , 5E049BA06 , 5E049BA12 , 5E049BA16 , 5E049CB02 , 5E049DB14 , 5E049MC01 , 5F092AA02 , 5F092AB01 , 5F092AB02 , 5F092AB06 , 5F092AC12 , 5F092BB05 , 5F092BB10 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB31 , 5F092BB35 , 5F092BB44 , 5F092BB53 , 5F092BC03 , 5F092BC14 , 5F092BE02 , 5F092BE21 , 5F092CA25

引用特許：

審査官引用 (5件)

強磁性トンネル接合素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-209292 出願人：日本電気株式会社
磁気抵抗素子およびそれを用いた磁気ヘッド、メモリー装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-150962 出願人：松下電器産業株式会社
スピン注入磁化反転素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-185876 出願人：富士電機ホールディングス株式会社

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引用文献：

審査官引用 (4件)

Co2MnSi(110)エピタキシャル薄膜を用いた強磁性トンネル接合の作製
Giant tunnellimg magnetoresistance effect in low-resistance CoFeB/MgO(001)/CoFeB magnetic tunnel jun
Large tunnel magnetoresistance in magnetic tunnel junctions using Co2MnX(X=Al,Si) Heusler alloys

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