特許

J-GLOBAL ID：200903002451622577

半導体装置の製造方法

発明者： 有本 一郎
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-278556
公開番号（公開出願番号）：特開2005-045070
出願日： 2003年07月23日
公開日（公表日）： 2005年02月17日
要約：

【課題】 半導体製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程に用いられる現像液の再利用方法を提供すること。【解決手段】 本発明の現像液の再利用方法によれば、半導体基板上に感光性樹脂を塗布する工程と、該感光性樹脂を露光して現像する工程と、現像された感光性樹脂をリンスする工程とを包含する半導体装置の製造方法において、前記現像工程において用いた現像液と前記リンス工程において用いたリンス液とが混合した廃液を、加熱および蒸留して現像液成分のみを分留し、当該成分を再利用することを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に感光性樹脂を塗布する工程と、該感光性樹脂を露光して現像する工程と、現像された感光性樹脂をリンスする工程とを包含する半導体装置の製造方法において、 前記現像工程において用いた現像液と前記リンス工程において用いたリンス液とが混合した廃液を、加熱および蒸留して現像液成分のみを分留し、当該成分を再利用することを特徴とする、半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/027 ,  G03F7/30

FI (2件)：

H01L21/30 569C ,  G03F7/30

Fターム (7件)：

2H096AA25 ,  2H096BA06 ,  2H096GA03 ,  2H096GA18 ,  2H096LA25 ,  5F046LA07 ,  5F046LA19

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 現像処理装置および現像処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-147789   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 基板表面処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-146210   出願人：長瀬産業株式会社, 株式会社平間理化研究所, エム・セテック株式会社

審査官引用 (2件)

• 感光性ポリイミド前駆体用現像液及びその回収方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-110593   出願人：東レ株式会社
• テトラアルキルアンモニウムイオン含有液の処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-304515   出願人：オルガノ株式会社