特許
J-GLOBAL ID：200903002457353705

成膜装置

発明者：
矢 口 一 広

矢 口 一 広 について

, 
橋 本 正 幸

橋 本 正 幸 について

, 
高 木 庸 司

高 木 庸 司 について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 山本 敬敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-314748
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124123
出願日： 2001年10月12日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：
【要約】【課題】成膜装置の排気ラインにおいて、簡単な構造にて、効率良く、副生成物の発生を抑制ないし防止する。【解決手段】処理チャンバ10内のガスを排出するガス排出口11bに排気キャップ61を連結し、排気キャップ61の下流側に排気管62を連結する。排気キャップ61には、HClの加熱ガスを導入する加熱ガス供給管71を連結する。加熱ガス供給管71から導入された加熱ガスは、排出ガスの流れに沿って排出ガスに混じり合い、排出ガスを直接加熱する。これにより、排気キャップ61及び排気管62の内部において、未反応のプロセスガスに起因する副生成物の発生が抑制ないし防止される。
請求項（抜粋）：
基板に成膜処理を施す処理チャンバと、前記処理チャンバにプロセスガスを供給するプロセスガス供給ラインと、前記処理チャンバ内のガスを排出する排気ラインと、を備えた成膜装置であって、前記排気ラインには、所定の温度に予め加熱された加熱ガスを供給する加熱ガス供給ラインが設けられている、ことを特徴とする成膜装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/44
FI (2件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/44 E
Fターム (16件)：
4K030AA06 ,  4K030BA29 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA12 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  5F045AB02 ,  5F045AC05 ,  5F045AC13 ,  5F045BB08 ,  5F045DP04 ,  5F045EG07 ,  5F045EK12 ,  5F045EK13
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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