半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-027532
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223719
出願日： 1996年02月15日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】【課題】コンデンサを搭載する半導体装置において、大きい静電容量が得られ、幅広い帯域での高周波ノイズを吸収することができる半導体装置を提供することにある。【解決手段】 ICダイ26が実装された基板25上に面状導電体30,31で誘電体32を挟んで形成したコンデンサを構成し、このコンデンサの各面状導電体をICダイ26の電源用ボンディングパッド26-2と接地用ボンディングパッド26-3に夫々接続し、バイパスコンデンサとして機能させるようにした。

請求項（抜粋）：

複数の信号入出力端子と少なくとも一つの電源端子と少なくとも一つの接地端子とを有する基板と、この基板に面実装され、上記基板に設けた配線パターンに夫々接続された複数の信号入出力用ボンディングパッドと少なくとも一つの電源用ボンディングパッドと少なくとも一つの接地用ボンディングパッドを有する少なくとも一つのICダイと、少なくとも一つの第一と第二の面状導電体で誘電体を挟んで形成され上記基板に配設されたコンデンサを備え、前記第一と第二の面状導電体は面状の一部に夫々端子を設け、前記電源端子と前記第一の面状導電体の端子と前記ICダイの電源用ボンディングパッドを接続し、前記ICダイの接地用ボンディングパッドと前記第二の面状導電体の端子と前記接地端子を接続した半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 , H01L 21/60 , H01L 23/12

FI (4件)：

H01L 21/60 311 S , H01L 21/60 311 R , H01L 23/12 P , H01L 23/12 L

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体集積回路実装基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-190039 出願人：株式会社東芝
半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-111508 出願人：株式会社日立製作所
半導体チップキャリヤ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-019708 出願人：富士通株式会社

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