特許
J-GLOBAL ID：200903098533532344
成膜方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-308654
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133619
出願日： 1998年10月29日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：
【要約】【課題】 有機金属含有液体を用いる成膜方法及び装置において、供給用配管の閉塞を起こすことなく高効率で成膜を行うことのできるものを提供すること。【解決手段】 本発明は、熱分解反応により成膜材料を析出する有機金属、例えば銅のケトナト系金属錯体を主成分とした有機金属含有液体を用意し、有機金属の未反応領域の温度において、半導体基板W上に有機金属含有液体を塗布する第2ステップと、この後、基板を所定温度に加熱し、基板上に塗布された前記有機金属含有液体中の有機金属を熱分解反応させ膜を基板上に形成する第3ステップとを含む成膜方法を特徴としている。この方法では、塗布が有機金属の未反応領域の温度で行われるため、成膜材料の析出がなく、塗布を均一に且つ均質に行うことができる。また、この後に熱分解反応を単独で行わせるので、安定した反応を確保することができ、膜厚及び膜質が均一な膜が形成される。
請求項（抜粋）：
熱分解反応により成膜材料を析出する有機金属を主成分とした有機金属含有液体を用意する第1ステップと、前記有機金属の未反応領域の温度において、被処理体上に前記有機金属含有液体を塗布する第2ステップと、前記第2ステップの後、前記被処理体を所定温度に加熱し、前記被処理体上に塗布された前記有機金属含有液体中の前記有機金属を熱分解反応させ膜を前記被処理体上に形成する第3ステップとを含む成膜方法。
IPC (3件)：
H01L 21/288
, C23C 18/02
, H01L 21/3205
H01L 21/288 Z
, C23C 18/02
, H01L 21/88 B
4K022BA08
, 4K022CA13
, 4K022DA06
, 4K022DB01
, 4K022DB15
, 4K022DB18
, 4K022DB19
, 4K022DB24
, 4K022EA01
, 4M104BB04
, 4M104DD51
, 4M104DD78
, 5F033HH11
, 5F033PP26
