特許

J-GLOBAL ID：200903002521052358

半導体膜、半導体装置及びこれらの作製方法

発明者： 一條 充弘 ,  浅見 勇臣 ,  鈴木 規悦 ,  大沼 英人 ,  米澤 雅人
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-158582
公開番号（公開出願番号）：特開2003-173969
出願日： 2002年05月31日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：

【要約】【課題】 半導体膜の結晶化を助長する金属元素を用いて結晶構造を有する半導体膜を得た後、該膜中に残存する当該金属元素を効果的に除去し、素子間のバラツキを低減する技術を提供することを課題とする。【解決手段】 ゲッタリングサイトを形成する工程として、プラズマCVD法を用い、原料ガスとしてモノシランと希ガス元素と水素を用いて成膜し、高濃度、具体的には1×1020/cm3〜1×1021/cm3の濃度で希ガス元素を含み、且つ、1×1015/cm3〜1×1017/cm3の濃度でフッ素を含み、且つ非晶質構造を有する半導体膜、代表的にはアモルファスシリコン膜とするものである。

請求項（抜粋）：

成膜室にモノシランと希ガスと水素とを原料ガスとして導入し、プラズマを発生させて、希ガス元素を1×1018/cm3〜1×1022/cm3で含み、且つ非晶質構造を有する半導体膜を被表面上に成膜することを特徴とする非晶質構造を有する半導体膜の作製方法。

IPC (8件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/136 ,  G02F 1/1362 ,  G02F 1/1365 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (10件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/136 ,  G02F 1/1362 ,  G02F 1/1365 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 Z ,  H01L 29/78 618 G ,  H01L 29/78 618 A

Fターム (100件)：

2H092JA05 ,  2H092JA24 ,  2H092JA28 ,  2H092KA05 ,  2H092KA10 ,  2H092MA07 ,  2H092MA08 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD07 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AF08 ,  5F045BB16 ,  5F045HA10 ,  5F052AA02 ,  5F052AA17 ,  5F052AA24 ,  5F052BB02 ,  5F052BB05 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DB03 ,  5F052EA15 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052FA19 ,  5F052JA01 ,  5F110AA01 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110FF04 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG51 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110PP40 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ25 ,  5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (7件)

• アモルファスシリコン薄膜製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-262550   出願人：日本真空技術株式会社
• 結晶質シリコン薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-293667   出願人：旭硝子株式会社
• 特開昭61-281519
  
• 半導体膜の作製方法及び半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-205346   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体薄膜の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-032872   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-162705   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平2-148715
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "Film growth precursors in a remote SiH4 plasma used for high-rate deposition of hydrogenated amorph