特許

J-GLOBAL ID：200903002538825296

SiC単結晶薄膜の作製法

発明者： 岡本 光央 ,  小杉 亮治 ,  荒井 和雄 ,  福田 憲司 ,  田中 保宣
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-080254
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282451
出願日： 2002年03月22日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】 低い成長温度でSiCの単結晶をホモエピタキシャル成長させて高品質のSiC単結晶薄膜を作製する方法を提供する。【解決手段】 単結晶の炭化珪素(SiC)領域を含む基板上に、プラズマ化学気相成長法(プラズマCVD法)を用いて、800〜1200°CでSiCの単結晶をホモエピタキシャル成長させるSiC単結晶薄膜の作製法である。特に、マイクロ波でプラズマを発生させた高密度・高エネルギーのプラズマを利用すること、炭素と珪素の原子供給比(C/Si比)を100以上、供給される原料珪素原子濃度を100mol.ppm以下として成長させることが好ましい。

請求項（抜粋）：

単結晶の炭化珪素領域を含む基板上に、プラズマ化学気相成長法を用いて、800〜1200°CでSiCの単結晶をホモエピタキシャル成長させることを特徴とするSiC単結晶薄膜の作製法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/42 ,  C30B 29/36

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/42 ,  C30B 29/36 Z

Fターム (31件)：

4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DB19 ,  4G077EA02 ,  4G077ED05 ,  4G077HA06 ,  4G077TB02 ,  4G077TB07 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030FA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030JA17 ,  4K030LA12 ,  5F045AA09 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF02 ,  5F045BB08 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体薄膜の作成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-006907   出願人：キヤノン株式会社
• 炭化珪素基板およびその製造方法、並びに炭化珪素基板を用いた半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-241899   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体オン絶縁体特にSiCOI構造を製造する方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-529740   出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク