特許
J-GLOBAL ID：200903002550529031
レジスト下層膜用組成物およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大井 正彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-226604
公開番号（公開出願番号）：特開2002-040668
出願日： 2000年07月27日
公開日（公表日）： 2002年02月06日
要約：
【要約】【課題】 レジストとの密着性が高く、レジスト現像液および酸素アッシングに対して耐性を有し、再現性の高いレジストパターンが得られるレジスト下層膜の形成が可能で、保存安定性に優れた下層膜用組成物およびその製造方法の提供。【解決手段】 本発明のレジスト下層膜用組成物は、下記一般式(1)で表されるシラン化合物と、下記一般式(2)で表されるシラン化合物とを、水および触媒の存在下に、プロピレングリコールモノエチルエーテルおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルから選ばれる少なくとも1種の有機溶媒中において加水分解および/または縮合することによって得られるものである。【化1】
請求項（抜粋）：
プロピレングリコールモノエチルエーテルおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルから選ばれる少なくとも1種の有機溶媒中に、下記一般式(1)で表されるシラン化合物と下記一般式(2)で表されるシラン化合物との加水分解物および/または縮合物が含有されてなることを特徴とするレジスト下層膜用組成物。【化1】
IPC (3件)：
G03F 7/11 503
, H01L 21/027
, H01L 21/312
G03F 7/11 503
, H01L 21/312 C
, H01L 21/30 563
2H025AA04
, 2H025AA09
, 2H025AA14
, 2H025AB16
, 2H025DA35
, 5F046HA01
, 5F058AA08
, 5F058AA10
, 5F058AC03
, 5F058AF04
, 5F058AG01
, 5F058AH01
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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