特許
J-GLOBAL ID：200903072927930206
シリカ系被膜形成用塗布液、その製造法、シリカ系被膜及び半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-028475
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228399
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：
【要約】【課題】 金属配線の腐食を防止し、配線の断線及び接続抵抗増大を低減し、かつ誘電率が低いシリカ系被膜形成用塗布液、これを用いるシリカ系被膜の製造方法、この方法により得られるシリカ系被膜及び半導体装置を提供する。【解決手段】 (A)一般式(I)【化1】(式中R1は、炭素数1〜6のアルキル基またはアリール基、R2は、炭素数1〜4のアルキル基、nは0〜2の整数を意味し、複数個のR1及びR2は同一でも異なっていてもよい)で表せられるアルコキシシラン化合物を有機溶媒中、加水分解縮重合させてシロキサンポリマーを合成する際に、一般式(II)【化2】(式中R3は、炭素数1〜6のアルキル基またはアリール基、nは1〜3の整数を意味し、複数個のR3は同一でも異なっていてもよい)で表せられる有機アミン化合物の上記アルコキシシラン化合物に対して0.5モル%〜0.01モル%の存在下に加水分解重縮合を行うことを特徴とするシリカ系被膜形成用塗布液の製造方法、この製造方法により得られたシリカ系被膜形成用塗布液、このシリカ系被膜形成用塗布液を基板上に塗布し、50〜250°Cで乾燥した後、窒素雰囲気下200〜600°Cで加熱硬化させてなるシリカ系被膜及びこのシリカ系被膜の形成された半導体装置。
請求項（抜粋）：
(A)一般式(I)【化1】(式中R1は、炭素数1〜6のアルキル基またはアリール基、R2は、炭素数1〜4のアルキル基、nは0〜2の整数を意味し、複数個のR1及びR2は同一でも異なっていてもよい)で表せられるアルコキシシラン化合物を有機溶媒中、加水分解縮重合させてシロキサンポリマーを合成する際に、一般式(II)【化2】(式中R3は、炭素数1〜6のアルキル基またはアリール基、nは1〜3の整数を意味し、複数個のR3は同一でも異なっていてもよい)で表せられる有機アミン化合物の上記アルコキシシラン化合物に対して0.5モル%〜0.01モル%の存在下に加水分解重縮合を行うことを特徴とするシリカ系被膜形成用塗布液の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, C09D 7/12
, C09D183/04
H01L 21/316 G
, C09D 7/12 Z
, C09D183/04
4J038DL031
, 4J038JB03
, 4J038JB06
, 4J038KA04
, 4J038LA02
, 4J038MA07
, 4J038NA03
, 4J038NA21
, 4J038PA19
, 4J038PB09
, 5F058BA20
, 5F058BC01
, 5F058BC02
, 5F058BF46
, 5F058BH01
, 5F058BH04
, 5F058BJ01
, 5F058BJ10
